IGBTモジュール 6500V

v_CES

6500 V

v_衛星タイプする

3.0 V

わかった_Cマックス。

750 A

わかった_C(RM)マックス。

1500 A

シンボル

パラメータ

試験条件

価値

ユニット

v_CES

集合器-放出器の電圧

VGE = 0V,TC= 25 °C

6500

v

v_{総エネルギー}

ゲート・エミッター・ボルト

TC= 25 °C

± 20

v

わかった_C

コレクタ-エミッタ電流

TC = 80 °C

750

A について

わかった_C(PK)

ピークコレクタ電流

tp=1ms

1500

A について

P_マックス

最大トランジスタ電力損失

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

11.7

KW

わかった²T

ダイオード I2t

VR =0V,tP = 10ms,TVj = 150 °C

460

kA2s

v_孤立

隔離電圧 - モジュールあたり

（基板への共通端子）、AC RMS、1分、50Hz、TC= 25 °C

10.2

kV

Q_病状

部分放電 - モジュールごとに

IEC1287 について V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

PC

Rth(J-C) IGBT

熱抵抗 - IGBT

8.5

K / kW

Rth(J-C) ダイオード

熱抵抗 - ダイオード

19.0

K / kW

Rth(C-H) IGBT

熱抵抗 -

ケースからヒートシンクまで (IGBT)

取り付けトルク 5Nm,

取り付けグリース 1W/m·°C

9

K / kW

Rth(C-H) ダイオード

熱抵抗 -

ケースからヒートシンクまで (ダイオード)

取り付けトルク 5Nm,

取り付けグリース 1W/m·°C

18

K / kW

テレビジョップ

交差点の動作温度

(IGBT)

-40

125

°C

(ダイオード)

-40

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

保管温度範囲

-40

125

°C

m

ネジトルク

取り付け –M6

5

Nm

電気接続 – M4

2

Nm

電気接続 – M8

10

Nm

符号シンボル

参数名パラメータ

条件

試験条件

最小値分。

典型値タイプする

最大値マックス。

単位ユニット

ICES

集電極カットオフ電流

コレクターの切断電流

VGE = 0V、VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V、VCE = VCES、TC=125 °C

90

mA

ゲノム

ゲートリーク電流

ゲート漏れ電流

VGE = ±20V、VCE = 0V

1

微分数

標準値 (TH)

ゲート-エミッタ閾値電圧ゲート 限界電圧

IC = 120mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

v

VCE (sat) ((*1)

集電極-エミッタ飽和電圧

コレクター・エミッター飽和度

圧力は

VGE =15V, IC = 750A

3.0

3.4

v

VGE =15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C

3.9

4.3

v

IF

ダイオード正方向直流電流ダイオード前流

DC

750

A について

IFRM

二極管正向繰り返しピーク電流ダイオードピーク前電流

tP = 1ms

1500

A について

ポイントは,

二極管正向電圧

ダイオード前向き電圧

IF = 750A, VGE = 0

2.55

2.90

v

IF = 750A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.90

3.30

v

短絡電流

短絡電流

短絡電流

Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE (最大) = VCES L (最大) *2) ×di/dt,IEC 6074-9

2800

A について

サイエス

输入電容量

入力容量

VCE = 25V,VGE = 0V,f = 100kHz

123

ロープ

司令部

ゲートチャージ

ゲートチャージ

±15V

9.4

微分

クレス

逆伝送容量

逆転移容量

VCE = 25V,VGE = 0V,f = 100kHz

2.6

ロープ

LM

モジュールインダクタンス

モジュール誘導力

10

nH

RINT

内部抵抗

内部トランジスタ抵抗

90

mΩ

TD_(オフ)

オフ遅延時間

オフ遅延時間

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 6.8Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH、

Tvj= 25 °C

3060

NS

Tvj= 125 °C

3090

T_F

下降時間秋の時間

Tvj= 25 °C

2390

NS

mJ

NS

NS

mJ

微分

Tvj= 125 °C

2980

e_オフ

遮断損失

切断時のエネルギー損失

Tvj= 25 °C

3700

Tvj= 125 °C

4100

TD_(オン)

開通遅延時間

オンする遅延時間

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.0Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH、

Tvj= 25 °C

670

Tvj= 125 °C

660

について

立ち上がり時間昇る時間

Tvj= 25 °C

330

Tvj= 125 °C

340

e_on

開通損失

オンする時のエネルギー損失

Tvj= 25 °C

4400

Tvj= 125 °C

6100

Qrr

二極管逆回復電荷逆ダイオード

リカバリーチャージ

IF =750A,

VCE = 3600V,

- diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).

Tvj= 25 °C

1300

Tvj= 125 °C

1680

Irr

二極管逆回復電流逆ダイオード

回復電流

Tvj= 25 °C

1310

A について

mJ

Tvj= 125 °C

1460

エレック

二極管逆回復損失逆ダイオード

回復エネルギー

Tvj= 25 °C

2900

Tvj= 125 °C

4080