IGBTモジュール 4500V

パラメータ/参数

シンボル/符号

条件/条件

ほんの少し

マックス

ユニット

集合器-放出器の電圧 集電極 -エミッタ電圧

v CES

v 遺伝子組み換え =0V,T vj ≥25°C

4500

v

DC コレクタ 現在 集電極電流

わかった C

T C =80°C

650

A について

ピークコレクタ 現在 集電极峰值電流

わかった cm

tp=1ms,Tc=80°C

1300

A について

ゲート・エミッター・ボルト ゲートエミッタ電圧

v 総エネルギー

-20

20

v

総 パワー消費 総電力損失

P tot

T C =25°C,スイッチごと(IGBT)

6670

W について

DC順方向電流 直流正方向電流

わかった F

650

A について

ピーク順方向電流 ピーク正方向電流

わかった FRM

tp=1ms

1300

A について

サージ 現在 浪涌電流

わかった FSM

v r =0V,T vj =125°C,tp=10ms, ハーフサイン波

5300

A について

IGBTショート 回路 SOA IGBT短絡安全動作領域

T psc

v 定電流 =3400V,V CEMCHIP ≤4500V v 遺伝子組み換え ≤15V,Tvj≤125°C

10

μ s

絶縁電圧 绝缘電圧

v 孤立

1分,f=50Hz

10200

v

接合温度 結温

T vj

150

°C

接合動作温度 erature 動作結温

T vj(op)

-50

125

°C

ケース温度 ケース温度

T C

-50

125

°C

保管温度 保存温度

T STG

-50

125

°C

取り付けトルク 取り付けトルク

m s

4

6

Nm

m T 1

8

10

m T 2

2

3

パラメータ/参数

シンボル/符号

条件/条件

ほんの少し

タイプ

マックス

ユニット

収集家 (-エミッタ) ブレークダウン 圧力は

集電極 -エミッタブロッキング電圧

v (BR)CES

v 遺伝子組み換え =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

4500

v

コレクター・エミッター飽和度 圧力は

集電極 -エミッタ飽和電圧

v CEsat

わかった C =650A, v 遺伝子組み換え =15V

Tvj= 25°C

2.7

3.2

v

Tvj=125°C

3.4

3.8

v

コレクタカットオフ 現在 集電極カットオフ電流

わかった CES

v CE =4500V, v 遺伝子組み換え =0V

Tvj= 25°C

10

mA

Tvj=125°C

100

mA

ゲート 漏れ電流 ゲートリーク電流

わかった 総エネルギー

v CE =0V,V 遺伝子組み換え =20V, T vj =125°C

-500

500

NA

ゲート-エミッタ閾値電圧 ゲートエミッタしきい値電圧

v 総額

わかった C =160mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25°C

4.5

6.5

v

ゲート 充電 ゲートチャージ

Q g

わかった C =650A,V CE =2800V, v 遺伝子組み換え =15V … 15V

5.4

µC

入力容量 输入電容量

C ies

v CE =25V,V 遺伝子組み換え =0V f=1MHz,T vj =25°C

71.4

ロープ

輸出容量 出力キャパシタンス

C オーエス

4.82

逆転移容量 逆転移キャパシタンス

C res

1.28

オン遅延 時間 開通遅延時間

T オンに

v 定電流 =2800V,

わかった C =650A,

r g =2.2 Ω ,

v 遺伝子組み換え =±15V

L σ =280nH,

インダクティブ負荷

Tvj = 25 °C

420

NS

Tvj = 125 °C

528

昇る時間 立ち上がり時間

T r

Tvj = 25 °C

160

Tvj = 125 °C

190

オフ遅延時間 オフ遅延時間

T D (オフ )

Tvj = 25 °C

2100

NS

Tvj = 125 °C

2970

秋の時間 下降時間

T F

Tvj = 25 °C

1600

Tvj = 125 °C

2760

オン 切り替え 損失エネルギー オン損失エネルギー

e on

Tvj = 25 °C

1000

mJ

Tvj =125 について °C

1600

切断する 損失エネルギー オフ損失エネルギー

e オフ

Tvj = 25 °C

2000

mJ

Tvj =125 について °C

2740

ショートサーキット 現在 短絡電流

わかった SC

T psc ≤ 10μ s, V 遺伝子組み換え =15V T vj = 125°C,V 定電流 = 3400V

3940

A について

パラメータ/参数

シンボル/符号

条件/条件

ほんの少し

タイプ

マックス

ユニット

順方向電圧 正向電圧

v F

わかった F =650A

Tvj = 25 °C

3.2

v

Tvj = 125 °C

3.6

逆 回復電流 反向復電流

わかった ロープ

v 定電流 =2800V,

わかった C =650A,

r g =2.2 Ω ,

v 遺伝子組み換え =±15V

L σ =280nH,

インダクティブ負荷

Tvj = 25 °C

1200

A について

Tvj = 125 °C

1300

A について

回収された電荷 回復電荷

Q ロープ

Tvj = 25 °C

450

µC

Tvj = 125 °C

550

µC

逆 回復時間 逆回復時間

T ロープ

Tvj = 25 °C

660

NS

Tvj = 125 °C

750

逆 回復エネルギー 逆回復エネルギー

e レス

Tvj =25 °C

720

mJ

Tvj = 125 °C

860