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簡潔な紹介
IGBT モジュール,CRRCによって製造された高電圧、単一スイッチIGBTモジュール。3300V 400A。
特徴
●SPT+チップセットによる低スイッチング 損失 |
●低 vCEsat |
●低ドライバ 電力 |
●AlSiCベースプレートによる高 電力 Cサイクリング 能力Y |
●AlN基板による低熱 抵抗 |
典型的なアプリケーション
●トラクションドライブ |
●DCチョッパー |
●中電圧インバータ/コンバータ |
最大定格値
パラメータ | シンボル | 条件 | ほんの少し | マックス | ユニット |
集合器-放出器の電圧 | 総額 | VGE =0V,Tvj ≥25°C |
| 3300 | v |
DCコレクタ電流 | 集積回路 | TC =80°C |
| 400 | A について |
ピークコレクタ電流 | ICM | tp=1ms,Tc=80°C |
| 800 | A について |
ゲート・エミッター・ボルト | VGES |
| -20 | 20 | v |
総電力損失 | Ptot | TC =25°C,スイッチごと(IGBT) |
| 7100 | W について |
DC順方向電流 | IF |
|
| 400 | A について |
ピーク順方向電流 | IFRM | tp=1ms |
| 800 | A について |
サージ電流 | IFSM | VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, 半正弦波 |
| 3000 | A について |
IGBT 短絡 SOA | tpsc | VCC =2500V,VCEMCHIP ≤3300V VGE ≤15V,Tvj≤125°C |
| 10 | μs |
絶縁電圧 | Visol | 1分,f=50Hz |
| 10200 | v |
接合温度 | Tvj |
|
| 150 | °C |
接合動作温度 | Tvj(op) |
| -50 | 150 | °C |
ケース温度 | TC |
| -50 | 125 | °C |
保管温度 | ターゲット・ストーブ |
| -50 | 125 | °C |
取り付けトルク | Ms | ベースヒートシンク，M6ネジ | 4 | 6 |
Nm |
MT1 | メイン端子，M8 スクリュー | 8 | 10 |
IGBT 特性値
パラメータ | シンボル | 条件 | ほんの少し | タイプ | マックス | ユニット | |
コレクタ (- エミッタ) ブレークダウン電圧 | 特別特別特別特別特別 | VGE =0V,IC=5mA, Tvj=25°C | 3300 |
|
| v | |
コレクタ-エミッタ飽和電圧 | VCEsat | IC =400A, VGE =15V | Tvj= 25°C |
| 3.0 |
| v |
Tvj=125°C |
| 3.6 |
| v | |||
コレクターが電流を切断 | ICES | VCE =3300V, VGE =0V | Tvj= 25°C |
|
| 5 | mA |
Tvj=125°C |
|
| 50 | mA | |||
ゲート漏れ電流 | ゲノム | VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C | -500 |
| 500 | NA | |
ゲート-エミッタ閾値電圧 | 総額は | IC =80mA,VCE =VGE, Tvj =25°C | 5.5 |
| 7.5 | v | |
ゲートチャージ | 司令部 | IC =400A,VCE =1800V, VGE =-15V … 15V |
| 4.0 |
| µC | |
入力容量 | サイエス |
VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C |
| 65 |
|
ロープ | |
輸出容量 | コース |
| 3.7 |
| |||
逆転移容量 | クレス |
| 0.8 |
| |||
オンする遅延時間 | オン (オン) |
VCC =1800V, IC =400A, RG =2.3Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, インダクティブ負荷 | Tvj = 25 °C |
| 650 |
|
NS |
Tvj = 125 °C |
| 750 |
| ||||
昇る時間 | について | Tvj = 25 °C |
| 400 |
| ||
Tvj = 125 °C |
| 470 |
| ||||
オフ遅延時間 | 消して | Tvj = 25 °C |
| 1600 |
|
NS | |
Tvj = 125 °C |
| 1800 |
| ||||
秋の時間 | TF | Tvj = 25 °C |
| 1100 |
| ||
Tvj = 125 °C |
| 1200 |
| ||||
オンスイッチング損失エネルギー | エオン | Tvj = 25 °C |
| 1400 |
| mJ | |
Tvj = 125 °C |
| 1800 |
| ||||
オフスイッチング損失エネルギー | オーフ | Tvj = 25 °C |
| 1300 |
| mJ | |
Tvj = 125 °C |
| 1700 |
| ||||
短絡電流 | 短絡電流 | tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 2500V |
| 2500 |
| A について | |
ダイオード特性値
パラメータ | シンボル | 条件 | ほんの少し | タイプ | マックス | ユニット | |
順方向電圧 | VF について | IF =400A | Tvj = 25 °C |
| 2.3 | 2.6 | v |
Tvj = 125 °C |
| 2.35 | 2.6 | ||||
逆回復電流 | Irr |
VCC =1800V, IC =400A, RG =2.3Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, | Tvj = 25 °C |
| 900 |
| A について |
Tvj = 125 °C |
| 1000 |
| ||||
回収された電荷 | Qrr | Tvj = 25 °C |
| 700 |
| µC | |
Tvj = 125 °C |
| 1000 |
| ||||
逆回復時間 | trr | Tvj = 25 °C |
| 850 |
| NS | |
Tvj = 125 °C |
| 2200 |
| ||||
逆再生エネルギー | エレック | Tvj =25 °C |
| 850 |
| mJ | |
Tvj = 125 °C |
| 1300 |
| ||||
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