YMIF400-33,IGBTモジュール,単一スイッチIGBT,CRRC

パラメータ

シンボル

条件

ほんの少し

マックス

ユニット

集合器-放出器の電圧

総額

VGE =0V,Tvj ≥25°C

3300

V

DCコレクタ電流

集積回路

TC =80°C

400

A について

ピークコレクタ電流

ICM

tp=1ms,Tc=80°C

800

A について

ゲート・エミッター・ボルト

VGES

-20

20

V

総電力損失

Ptot

TC =25°C,スイッチごと(IGBT)

7100

W について

DC順方向電流

IF

400

A について

ピーク順方向電流

IFRM

tp=1ms

800

A について

サージ電流

IFSM

VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, 半正弦波

3000

A について

IGBT 短絡 SOA

tpsc

VCC =2500V,VCEMCHIP ≤3300V VGE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μs

絶縁電圧

Visol

1分,f=50Hz

10200

V

接合温度

Tvj

150

°C

接合動作温度

Tvj(op)

-50

150

°C

ケース温度

TC

-50

125

°C

保管温度

ターゲット・ストーブ

-50

125

°C

取り付けトルク

Ms

ベースヒートシンク ，M6ネジ

4

6

Nm

MT1

メイン端子 ，M8 スクリュー

8

10

パラメータ

シンボル

条件

ほんの少し

タイプ

マックス

ユニット

コレクタ (- エミッタ) ブレークダウン電圧

特別特別特別特別特別

VGE =0V,IC=5mA, Tvj=25°C

3300

V

コレクタ-エミッタ飽和電圧

VCEsat

IC =400A, VGE =15V

Tvj= 25°C

3.0

V

Tvj=125°C

3.6

V

コレクターが電流を切断

ICES

VCE =3300V, VGE =0V

Tvj= 25°C

5

mA

Tvj=125°C

50

mA

ゲート漏れ電流

ゲノム

VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C

-500

500

nA

ゲート-エミッタ閾値電圧

総額は

IC =80mA,VCE =VGE, Tvj =25°C

5.5

7.5

V

ゲートチャージ

司令部

IC =400A,VCE =1800V, VGE =-15V … 15V

4.0

µC

入力容量

サイエス

VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C

65

ロープ

輸出容量

コース

3.7

逆転移容量

クレス

0.8

オンする遅延時間

オン (オン)

VCC =1800V,

IC =400A,

RG =2.3Ω ,

VGE =±15V,

Lσ=280nH,

インダクティブ負荷

Tvj = 25 °C

650

nS

Tvj = 125 °C

750

昇る時間

について

Tvj = 25 °C

400

Tvj = 125 °C

470

オフ遅延時間

消して

Tvj = 25 °C

1600

nS

Tvj = 125 °C

1800

秋の時間

tF

Tvj = 25 °C

1100

Tvj = 125 °C

1200

オンスイッチング損失エネルギー

エオン

Tvj = 25 °C

1400

mJ

Tvj = 125 °C

1800

オフスイッチング損失エネルギー

オーフ

Tvj = 25 °C

1300

mJ

Tvj = 125 °C

1700

短絡電流

短絡電流

tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 2500V

2500

A について

パラメータ

シンボル

条件

ほんの少し

タイプ

マックス

ユニット

順方向電圧

VF について

IF =400A

Tvj = 25 °C

2.3

2.6

V

Tvj = 125 °C

2.35

2.6

逆回復電流

Irr

VCC =1800V,

IC =400A,

RG =2.3Ω ,

VGE =±15V,

Lσ=280nH,

Tvj = 25 °C

900

A について

Tvj = 125 °C

1000

回収された電荷

Qrr

Tvj = 25 °C

700

µC

Tvj = 125 °C

1000

逆回復時間

trr

Tvj = 25 °C

850

nS

Tvj = 125 °C

2200

逆再生エネルギー

エレック

Tvj =25 °C

850

mJ

Tvj = 125 °C

1300