YMIF250-65、IGBTモジュール、高電圧、単一IGBT、CRRC

パラメータ

シンボル

条件

ほんの少し

マックス

ユニット

収集-発信 圧力は

V CES

V 遺伝子組み換え =0V,T vj ≥ 25°C

6500

V

DCコレクタ電流

わかった C

T C =80°C

250

A について

ピークコレクタ電流

わかった Cm

tp=1ms,Tc=80°C

500

A について

ゲート・エミッター・ボルト

V 総エネルギー

-20

20

V

総出力 散熱

P tot

T C =25°C,スイッチごと(IGBT)

3200

W について

DC順方向電流

わかった F

250

A について

ピークフォワード 現在

わかった FRM

tp=1ms

500

A について

IGBTショート 回路 SOA

t psc

V CC =4400V,V CEMCHIP ≤ 6500V V 遺伝子組み換え ≤ 15V,Tvj≤ 125°C

10

μ s

絶縁電圧

V 孤立

1分,f=50Hz

10200

V

接合温度

T vj

125

°C

接合動作温度

T vj(op)

-50

125

°C

ケース温度

T C

-50

125

°C

保管温度

T sTG

-50

125

°C

取り付けトルク

Ms

4

6

Nm

M T1

8

10

パラメータ

シンボル

条件

ほんの少し

タイプ

マックス

ユニット

収集家 (-エミッタ) ブレークダウン電圧

特別特別特別特別特別

VGE=0V,IC=3mA, Tvj=25°C

6500

V

収集-発信 飽和 圧力は

VCEsat

IC=250A,V GE=15V

Tvj= 25°C

2.6

3

3.4

V

Tvj=125°C

3.4

4

4.6

V

収集家 カットオフ電流

ICES

VCE=6500V,VGE=0V

Tvj= 25°C

4

mA

Tvj=125°C

50

mA

ゲート 漏れ電流

ゲノム

VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C

-500

500

nA

ゲート発信者の限界値 圧力は

V 総額

IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C

5.4

6.2

7

V

オンする遅延時間

t オンに

VCC=3600V, IC=250A,

RGon=6.8Ω ,

RGoff=33Ω ,

CGE=100nF

VGE=±15V,

Ls=280nH,

インダクティブ負荷

Tvj = 25 °C

1

μ s

Tvj = 125 °C

0.94

上昇 時間

について

Tvj = 25 °C

0.76

Tvj = 125 °C

0.81

オフ遅延時間

t 消して

Tvj = 25 °C

3.9

μ s

Tvj = 125 °C

4.2

秋の時間

t f

Tvj = 25 °C

2.2

Tvj = 125 °C

2.8

オン 切り替え 損失エネルギー

エオン

Tvj = 25 °C

3081

mJ

Tvj = 125 °C

3900

切断する 損失エネルギー

E オフ

Tvj = 25 °C

2100

mJ

Tvj = 125 °C

1236

短く 回路電流

わかった SC

tpsc ≤ 10μ s, V 遺伝子組み換え

=15V, Tvj=125℃,V CC =

4400V

Tvj = 125 °C

940

A について