IGBTモジュール 3300V

パラメータ

符号

条件

最小値

特性値

最大値

単 位

ゲート－エミッタ短絡時の コレクタ－エミッタ電圧

v(BR)CES

v遺伝子組み換え=0VわかったC=10mA,Tvj =25°C

3300

v

コレクタ－エミッタ 飽和電圧

vCEsat

わかったC=1500A,V遺伝子組み換え=15V

Tvj =25°C

24

2.9

v

Tvj =125°C

2.95

3.4

v

Tvj =150°C

3.1

3.6

集電極カットオフ電流

わかったCES

vCE=3300V,V遺伝子組み換え=0V

Tvj =25°C

1

mA

Tvj =125°C

90

mA

Tvj =150°C

150

ゲートリーク電流

わかった総エネルギー

vCE=0Vv遺伝子組み換え=±20V,Tvj =125°C

1

uA

ゲート－エミッタ閾値電圧

v遺伝子組み換え(TH)

わかったC=240mA,vCE=v遺伝子組み換え,Tvj =25°C

5.5

7

v

ゲートチャージ

Qg

わかったC=1500A,VCE=1800V, v遺伝子組み換え=-15V..15V

25

µC

输入電容量

Cies

vCE=25V,V遺伝子組み換え=0V,f=1MHz, Tvj =25°C

260

ロープ

逆伝送容量

Cres

6

オン遅延

Tオンに

v定電流=1800V,IC=1500A,

v遺伝子組み換え=±15V,Cge=330nF,

rg（on）=1.0Ωロープg（オフ）=1.5Ω ,

Lσ =150nH

インダクティブ負荷

Tvj =25°C

750

NS

Tvj =125°C

730

Tvj =150°C

730

立ち上がり時間

Tr

Tvj =25°C

340

Tvj =125°C

360

Tvj =150°C

360

シャットダウン遅延

T消して

v定電流=1800V,IC=1500A,

v遺伝子組み換え=±15V,Cge=330nF,

rg（on）=1.0Ωロープg（オフ）=1.5Ω ,

Lσ =150nH

インダクティブ負荷

Tvj =25°C

2100

NS

Tvj =125°C

2250

Tvj =150°C

2290

下降時間

TF

Tvj =25°C

540

Tvj =125°C

570

Tvj =150°C

580

オンエネルギー

eon

v定電流=1800V,IC=1500A,

v遺伝子組み換え=±15V,Cge=330nF,

rg（on）=1.0Ωロープg（オフ）=1.5Ω ,

Lσ =150nH

インダクティブ負荷

Tvj =25°C

1450

mJ

Tvj =125°C

1900

Tvj =150°C

2100

シャットダウンエネルギー

eオフ

v定電流=1800V,IC=1500A,

v遺伝子組み換え=±15V,Cge=330nF,

rg（on）=1.0Ω ロープg（オフ）=1.5Ω ,

Lσ =150nH

インダクティブ負荷

Tvj =25°C

2400

mJ

Tvj =125°C

2950

Tvj =150°C

3200

パラメータ

符号

条件

最小値

特性値

最大値

単位

ダイオード順方向平均電圧

vF

わかったF=1500A

Tvj =25°C

2.15

2.6

v

Tvj =125°C

2.25

2.7

Tvj =150°C

2.25

2.7

反向復電流

わかったロープ

v定電流=1800V,

わかったC=1500A,

DIF/dt=4800A/

米国

Tvj =25°C

1250

A について

Tvj =125°C

1420

A について

Tvj =150°C

1150

反向復電荷

Qロープ

Tvj =25°C

880

µC

Tvj =125°C

1800

µC

Tvj =150°C

1980

逆回復エネルギー

eレス

Tvj =25°C

1550

mJ

Tvj =125°C

2450

Tvj =150°C

2720