YMIF1000-33、IGBTモジュール、シングルスイッチIGBT、CRRC

YMIF1000-33,IGBTモジュール,単一スイッチIGBT,CRRC

IGBT モジュール，3300V 1000A

Brand:

CRRC

Spu:

基準値

簡潔な紹介

CRRCによって製造された高電圧、単一スイッチIGBTモジュール。3300V 1000A。

鍵 パラメータ

典型的な用途

典型的な用途

絶対最大定格

電気的特性

（記号）		（パラメータ）	（試験条件）	（最小）	（典型）	(最大)	（単位）
I CES		コレクターの切断電流	VGE = 0V、VCE = VCES			1	mA
			VGE = 0V,VCE = VCES,TC= 125 °C			60	mA
			VGE = 0V,VCE = VCES,TC= 150 °C			100	mA
I GES		ゲート漏れ電流	VGE = ±20V、VCE = 0V			1	微分数
標準値 (TH)		ゲート限界電圧	I C= 80mA, VGE= VCE	5.50	6.10	7.00	v
VCE	(*1) (座席)	コレクター・エミッター飽和度圧力は	VGE= 15V, I C= 1000A		2.40	2.90	v
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C		2.95	3.40	v
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C		3.10	3.60	v
I F		ダイオード前流	DC		1000		A について
I FRM		ダイオード最大順方向電流	t P = 1ms		2000		A について
ポイントは,		ダイオード前向き電圧	I F= 1000A		2.10	2.60	v
			I F= 1000A, Tvj= 125 ° C		2.25	2.70	v
			I F= 1000A, Tvj= 150 ° C		2.25	2.70	v
C ies		入力容量	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		170		ロープ
Q g		ゲートチャージ	±15V		17		微分
C res		逆転移容量	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		4		ロープ
L M		モジュール誘導力			15		nH
R INT		内部トランジスタ抵抗			165		μΩ
I SC		短絡電流, ISC	Tvj = 150°C,VCC = 2500V,VGE≤15V,tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9		3900		A について

消して	オフ遅延時間	I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1800	NS
t f	秋の時間		530	NS
E OFF	切断時のエネルギー損失		1600	mJ
オン (オン)	オンする遅延時間		680	NS
t r	昇る時間		320	NS
エオン	オンする時のエネルギー損失		1240	mJ
Q rr	ダイオード逆回復電荷	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	780	微分
I rr	ダイオード逆回復電流		810	A について
E rec	ダイオード逆回復エネルギー		980	mJ
消して	オフ遅延時間	I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1940	NS
t f	秋の時間		580	NS
E OFF	切断時のエネルギー損失		1950	mJ
オン (オン)	オンする遅延時間		660	NS
t r	昇る時間		340	NS
エオン	オンする時のエネルギー損失		1600	mJ
Q rr	ダイオード逆回復電荷	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	1200	微分
I rr	ダイオード逆回復電流	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	930	A について