YMIBH250-33、IGBTモジュール、ハーフブリッジIGBT、CRRC

シンボル

パラメータ

試験条件

価値

ユニット

総額

集合器-放出器の電圧

VGE = 0V,TC= 25 °C

3300

V

VGES

ゲート・エミッター・ボルト

TC= 25 °C

± 20

V

集積回路

コレクタ-エミッタ電流

TC = 100 °C

250

A について

IC(PK)

ピークコレクタ電流

tp=1ms

500

A について

総量

最大トランジスタ電力損失

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

2.6

kW

ポイント

ダイオード I2t

VR =0V,tP = 10ms,TVj = 150 °C

20

kA2s

Visol

隔離電圧 - モジュールあたり

（基板に共通端子）、AC RMS、1分、50Hz、TC= 25 °C

6

kV

QPD

部分放電 - モジュールごとに

IEC1287 について V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pC

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

ICES

コレクターの切断電流

VGE = 0V、VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V、VCE = VCES、TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V、VCE = VCES、TC=150 °C

25

mA

ゲノム

ゲート漏れ電流

VGE = ±20V、VCE = 0V

1

微分数

標準値 (TH)

ゲート 限界電圧

IC = 20mA、VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat) ((*1)

コレクター・エミッター飽和度 圧力は

VGE=15V,IC=250A

2.50

2.80

V

VGE=15V,IC=250A,TVj=125 °C

3.15

3.45

V

VGE=15V,IC=250A,TVj=125 °C

3.30

3.60

V

IF

ダイオード前流

DC

250

A について

IFRM

ダイオードピーク前電流

tP = 1ms

500

A について

ポイントは,

ダイオード前向き電圧

IF = 250A、VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A、VGE = 0、Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A、VGE = 0、Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

短絡電流

短絡電流

Tvj = 150°C,VCC = 2500V,VGE ≤15V,tp ≤10μs,

VCE (最大) = VCES L (最大) *2) ×di/dt,IEC 6074-9

900

A について

ICES

コレクターの切断電流

VGE = 0V、VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V、VCE = VCES、TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V、VCE = VCES、TC=150 °C

25

mA

ゲノム

ゲート漏れ電流

VGE = ±20V、VCE = 0V

1

微分数

標準値 (TH)

ゲート 限界電圧

IC = 20mA、VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat) ((*1)

コレクター・エミッター飽和度

圧力は

VGE=15V,IC=250A

2.50

2.80

V

VGE=15V,IC=250A,TVj=125 °C

3.15

3.45

V

VGE=15V,IC=250A,TVj=125 °C

3.30

3.60

V

IF

ダイオード前流

DC

250

A について

IFRM

ダイオードピーク前電流

tP = 1ms

500

A について

ポイントは,

ダイオード前向き電圧

IF = 250A、VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A、VGE = 0、Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A、VGE = 0、Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

短絡電流

短絡電流

Tvj = 150°C,VCC = 2500V,VGE ≤15V,tp ≤10μs,

VCE (最大) = VCES L (最大) *2) ×di/dt,IEC 6074-9

900

A について

t 消して

オフ遅延時間

わかった C =250A

V CE = 1800V V 遺伝子組み換え = ± 15V R 消去する = 9.0Ω , C 遺伝子組み換え = 56nF

L S = 150nH

T vj = 25 °C

1480

nS

T vj = 125 °C

1550

T vj = 150 °C

1570

t f

秋の時間

T vj = 25 °C

1280

nS

T vj = 125 °C

1920

T vj = 150 °C

2120

E オフ

切断時のエネルギー損失

T vj = 25 °C

300

mJ

T vj = 125 °C

380

T vj = 150 °C

400

t オンに

オンする遅延時間

わかった C =250A

V CE = 1800V V 遺伝子組み換え = ± 15V R オーバー = 6.0Ω , C 遺伝子組み換え = 56nF

L S = 150nH

T vj = 25 °C

640

nS

T vj = 125 °C

650

T vj = 150 °C

650

t r

昇る時間

T vj = 25 °C

220

nS

T vj = 125 °C

235

T vj = 150 °C

238

E On

オンするエネルギー 損失

T vj = 25 °C

395

mJ

T vj = 125 °C

510

T vj = 150 °C

565

Q ロープ

ダイオード 逆

リカバリーチャージ

わかった F =250A

V CE = 1800V

- わかった わかった F /dt = 1200A/US (T vj = 125 °C）。

T vj = 25 °C

190

微分

T vj = 125 °C

295

T vj = 150 °C

335

わかった ロープ

ダイオード 逆

回復電流

T vj = 25 °C

185

A について

T vj = 125 °C

210

T vj = 150 °C

216

E レス

ダイオード 逆

回復エネルギー

T vj = 25 °C

223

mJ

T vj = 125 °C

360

T vj = 150 °C

410