IGBTモジュール 3300V

シンボル

パラメータ

試験条件

価値

ユニット

総額

集合器-放出器の電圧

VGE = 0V,TC= 25 °C

3300

v

VGES

ゲート・エミッター・ボルト

TC= 25 °C

± 20

v

集積回路

コレクタ-エミッタ電流

TC = 100 °C

250

A について

IC(PK)

ピークコレクタ電流

tp=1ms

500

A について

総量

最大トランジスタ電力損失

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

2.6

KW

ポイント

ダイオード I2t

VR =0V,tP = 10ms,TVj = 150 °C

20

kA2s

Visol

隔離電圧 - モジュールあたり

（基板に共通端子）、AC RMS、1分、50Hz、TC= 25 °C

6

kV

QPD

部分放電 - モジュールごとに

IEC1287 について V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

PC

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

ICES

コレクターの切断電流

VGE = 0V、VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V、VCE = VCES、TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V、VCE = VCES、TC=150 °C

25

mA

ゲノム

ゲート漏れ電流

VGE = ±20V、VCE = 0V

1

微分数

標準値 (TH)

ゲート 限界電圧

IC = 20mA、VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

v

VCE (sat) ((*1)

コレクター・エミッター飽和度 圧力は

VGE=15V,IC=250A

2.50

2.80

v

VGE=15V,IC=250A,TVj=125 °C

3.15

3.45

v

VGE=15V,IC=250A,TVj=125 °C

3.30

3.60

v

IF

ダイオード前流

DC

250

A について

IFRM

ダイオードピーク前電流

tP = 1ms

500

A について

ポイントは,

ダイオード前向き電圧

IF = 250A、VGE = 0

2.10

2.40

v

IF = 250A、VGE = 0、Tvj = 125 °C

2.25

2.55

v

IF = 250A、VGE = 0、Tvj = 150 °C

2.25

2.55

v

短絡電流

短絡電流

Tvj = 150°C,VCC = 2500V,VGE ≤15V,tp ≤10μs,

VCE (最大) = VCES L (最大) *2) ×di/dt,IEC 6074-9

900

A について

ICES

コレクターの切断電流

VGE = 0V、VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V、VCE = VCES、TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V、VCE = VCES、TC=150 °C

25

mA

ゲノム

ゲート漏れ電流

VGE = ±20V、VCE = 0V

1

微分数

標準値 (TH)

ゲート 限界電圧

IC = 20mA、VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

v

VCE (sat) ((*1)

コレクター・エミッター飽和度

圧力は

VGE=15V,IC=250A

2.50

2.80

v

VGE=15V,IC=250A,TVj=125 °C

3.15

3.45

v

VGE=15V,IC=250A,TVj=125 °C

3.30

3.60

v

IF

ダイオード前流

DC

250

A について

IFRM

ダイオードピーク前電流

tP = 1ms

500

A について

ポイントは,

ダイオード前向き電圧

IF = 250A、VGE = 0

2.10

2.40

v

IF = 250A、VGE = 0、Tvj = 125 °C

2.25

2.55

v

IF = 250A、VGE = 0、Tvj = 150 °C

2.25

2.55

v

短絡電流

短絡電流

Tvj = 150°C,VCC = 2500V,VGE ≤15V,tp ≤10μs,

VCE (最大) = VCES L (最大) *2) ×di/dt,IEC 6074-9

900

A について

T消して

オフ遅延時間

わかったC =250A

vCE = 1800V v遺伝子組み換え = ±15V r消去する = 9.0Ω , C遺伝子組み換え = 56nF

Ls = 150nH

Tvj= 25 °C

1480

NS

Tvj= 125 °C

1550

Tvj= 150 °C

1570

TF

秋の時間

Tvj= 25 °C

1280

NS

Tvj= 125 °C

1920

Tvj= 150 °C

2120

eオフ

切断時のエネルギー損失

Tvj= 25 °C

300

mJ

Tvj= 125 °C

380

Tvj= 150 °C

400

Tオンに

オンする遅延時間

わかったC =250A

vCE = 1800V v遺伝子組み換え = ±15V rオーバー = 6.0Ω , C遺伝子組み換え = 56nF

Ls = 150nH

Tvj= 25 °C

640

NS

Tvj= 125 °C

650

Tvj= 150 °C

650

Tr

昇る時間

Tvj= 25 °C

220

NS

Tvj= 125 °C

235

Tvj= 150 °C

238

eon

オンするエネルギー 損失

Tvj= 25 °C

395

mJ

Tvj= 125 °C

510

Tvj= 150 °C

565

Qロープ

ダイオード 逆

リカバリーチャージ

わかったF =250A

vCE = 1800V

- わかったわかったF/dt = 1200A/US (Tvj= 125 °C）。

Tvj= 25 °C

190

微分

Tvj= 125 °C

295

Tvj= 150 °C

335

わかったロープ

ダイオード 逆

回復電流

Tvj= 25 °C

185

A について

Tvj= 125 °C

210

Tvj= 150 °C

216

eレス

ダイオード 逆

回復エネルギー

Tvj= 25 °C

223

mJ

Tvj= 125 °C

360

Tvj= 150 °C

410