GD450HFX170C6S、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

706

450

A について

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

900

A について

P D

最大電源 消耗 @ T =175 o C

2542

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1700

V

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

450

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

900

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

4000

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.85

2.20

V

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C

2.25

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

2.35

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C = 18.0mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25 o C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.67

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

54.2

ロープ

C res

逆転移転

容量

1.32

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

4.24

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =450A R G =3.3Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 o C

179

nS

t r

昇る時間

105

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

680

nS

t f

秋の時間

375

nS

E on

オン スイッチング

損失

116

mJ

E オフ

切断する

損失

113

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =450A R G =3.3Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

208

nS

t r

昇る時間

120

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

784

nS

t f

秋の時間

613

nS

E on

オン スイッチング

損失

152

mJ

E オフ

切断する

損失

171

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =450A R G =3.3Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150o C

208

nS

t r

昇る時間

120

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

800

nS

t f

秋の時間

720

nS

E on

オン スイッチング

損失

167

mJ

E オフ

切断する

損失

179

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について o C,V CC = 1000V, V 単数 ≤1700V

1800

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.95

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

1.90

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =450A

-di/dt=4580A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 o C

105

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

198

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

69.0

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =450A

-di/dt=4580A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 125o C

187

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

578

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

129

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =450A

-di/dt=4580A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 150o C

209

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

585

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

150

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R 25

定数抵抗

5.0

kΩ

δR/R

偏差 の R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

R 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2-

半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

R 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2-

半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

R 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2-

半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

R CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

1.10

mΩ

R thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.059

0.083

総量

R thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.031

0.043

0.009

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

350

g