GD400SGY120C2S、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

収集家 現在 @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

630

400

A について

わかった Cm

パルス 収集家 現在 t p =1 ms

800

A について

P D

最大 電力 散熱 @ T j =175 o C

2083

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

わかった F

ダイオード 連続前流

400

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

800

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度 温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40 オー +150

o C

T STG

保管温度範囲

-40 オー +125

o C

V ISO

分離 圧力は RMS f=50 について Hz ポイントは ほんの少し

4000

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V CE (衛星 )

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =400A, V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.70

2.15

V

わかった C =400A, V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C

1.95

わかった C =400A, V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

2.00

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C = 10.0mA ,V CE = V 遺伝子組み換え ,T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

わかった CES

収集器の切断

現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25 o C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V

T j =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗

1.9

ω

C ies

入力容量

V CE =25V,f=1 MHz ,

V 遺伝子組み換え =0V

41.4

ロープ

C res

逆転移転

容量

1.16

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- やってる 15V+15V

3.11

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V わかった C =400A, R G =2.0Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 o C

257

nS

t r

昇る時間

96

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

628

nS

t f

秋の時間

103

nS

E on

オン スイッチング

損失

23.5

mJ

E オフ

切断する

損失

34.0

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V わかった C =400A, R G =2.0Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

268

nS

t r

昇る時間

107

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

659

nS

t f

秋の時間

144

nS

E on

オン スイッチング

損失

35.3

mJ

E オフ

切断する

損失

51.5

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V わかった C =400A, R G =2.0Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150o C

278

nS

t r

昇る時間

118

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

680

nS

t f

秋の時間

155

nS

E on

オン スイッチング

損失

38.5

mJ

E オフ

切断する

損失

56.7

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について o C ,V CC =900V V 単数 ≤1200V

1600

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =400A, V 遺伝子組み換え =0V T j =25 o C

1.80

2.25

V

わかった F =400A, V 遺伝子組み換え =0V T j = 125o C

1.85

わかった F =400A, V 遺伝子組み換え =0V T j = 150o C

1.85

Q r

回収された電荷

V R =600V わかった F =400A,

-ディ /dt =5000A/μs V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 o C

38.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

285

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

19

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V わかった F =400A,

-ディ /dt =5000A/μs V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 125o C

66.5

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

380

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

36.6

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V わかった F =400A,

-ディ /dt =5000A/μs V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 150o C

76.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

399

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

41.8

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

R CC + ロープ ’

モジュール鉛抵抗,ターミナル チップに

0.18

mΩ

R thJC

接合 -オー -事例 (平均 IGBT )

接合 -オー -事例 (平均 ダイオード )

0.072

0.095

総量

R thCH

事例 -オー -熱シンク (平均 IGBT )

事例 -オー -熱シンク (平均 ダイオード )

ケースからヒートシンクへの接続 (モジュールごと)

0.018

0.023

0.010

総量

M

端末接続トーク ネジ M6 マウント 扭力 , ネジ M 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

G

重さ モジュール

300

g