IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

収集家 現在 @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

630

400

A について

わかった cm

パルス 収集家 現在 T P =1 Ms

800

A について

P D

最大 電力 散熱 @ T j =175 O C

2083

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前流

400

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

800

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度 温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40 オー +150

O C

T STG

保管温度範囲

-40 オー +125

O C

v ISO

分離 圧力は RMS f=50 について Hz ポイントは ほんの少し

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v CE (衛星 )

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =400A, v 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.70

2.15

v

わかった C =400A, v 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

1.95

わかった C =400A, v 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

2.00

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C = 10.0mA ,v CE = v 遺伝子組み換え ,T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

v

わかった CES

収集器の切断

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V

T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗

1.9

Ω

C ies

入力容量

v CE =25V,f=1 MHz ,

v 遺伝子組み換え =0V

41.4

ロープ

C res

逆転移転

容量

1.16

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =- やってる 15V+15V

3.11

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V わかった C =400A, r g =2.0Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

257

NS

T r

昇る時間

96

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

628

NS

T F

秋の時間

103

NS

e on

オン スイッチング

損失

23.5

mJ

e オフ

切断する

損失

34.0

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V わかった C =400A, r g =2.0Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j = 125O C

268

NS

T r

昇る時間

107

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

659

NS

T F

秋の時間

144

NS

e on

オン スイッチング

損失

35.3

mJ

e オフ

切断する

損失

51.5

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V わかった C =400A, r g =2.0Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j = 150O C

278

NS

T r

昇る時間

118

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

680

NS

T F

秋の時間

155

NS

e on

オン スイッチング

損失

38.5

mJ

e オフ

切断する

損失

56.7

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C ,v 定電流 =900V v 単数 ≤1200V

1600

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =400A, v 遺伝子組み換え =0V T j =25 O C

1.80

2.25

v

わかった F =400A, v 遺伝子組み換え =0V T j = 125O C

1.85

わかった F =400A, v 遺伝子組み換え =0V T j = 150O C

1.85

Q r

回収された電荷

v r =600V わかった F =400A,

-ディ /dt =5000A/μs v 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 O C

38.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

285

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

19

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V わかった F =400A,

-ディ /dt =5000A/μs v 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 125O C

66.5

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

380

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

36.6

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V わかった F =400A,

-ディ /dt =5000A/μs v 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 150O C

76.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

399

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

41.8

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

r 定電流 + ロープ ’

モジュール鉛抵抗,ターミナル チップに

0.18

mΩ

r thJC

接合 -オー -場合 (平均 IGBT )

接合 -オー -場合 (平均 ダイオード )

0.072

0.095

総量

r thCH

場合 -オー -熱シンク (平均 IGBT )

場合 -オー -熱シンク (平均 ダイオード )

ケースからヒートシンクへの接続 (モジュールごと)

0.018

0.023

0.010

総量

m

端末接続トーク ネジ M6 マウント 扭力 , ネジ m 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

g

重さ モジュール

300

g