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簡潔な紹介
IGBT モジュール , STARPOWERによって製造されました。 1200V 400A。
特徴
典型的な 申請
絶対値 最大 レーティング T C =25 O C しない限り 違うなら 記載
IGBT
シンボル | 説明 | 価値 | ユニット |
総額 | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v |
VGES | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v |
集積回路 | コレクタ電流 @ TC=25oC @ TC=70oC | 549 400 | A について |
ICM | パルスコレクタ電流 tp=1ms | 800 | A について |
病状 | 最大電力の分散 @ T = 150oC | 2659 | W について |
ダイオード
シンボル | 説明 | 価値 | ユニット |
VRRM | 繰り返しのピーク逆電圧 | 1200 | v |
IF | ダイオード 連続前流 | 400 | A について |
IFM | ダイオード最大順方向電流 tp=1ms | 800 | A について |
モジュール
シンボル | 説明 | 価値 | ユニット |
Tjmax 合計 | 交差点最大温度 | 150 | oC |
バイバイ | 交差点の動作温度 | -40から+125 | oC |
ターゲット・ストーブ | 保管温度範囲 | -40から+125 | oC |
ヴィソ | 隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分 | 2500 | v |
IGBT 特徴 T C =25 O C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v 衛星 | 収集機から発信機へ 飽和電圧 | わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C |
| 2.90 | 3.35 |
v |
わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C |
| 3.60 |
| |||
v 遺伝子組み換え (TH ) | ゲート発信者の限界値 圧力は | わかった C = 16.0mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 O C | 4.5 | 5.5 | 6.5 | v |
わかった CES | 収集家 カット -オフ 現在 | v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 O C |
|
| 5.0 | mA |
わかった 総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 現在 | v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C |
|
| 400 | NA |
r ゲント | 内部ゲート抵抗 アンス |
|
| 0.6 |
| Ω |
C ies | 入力容量 | v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V |
| 26.0 |
| ロープ |
C res | 逆転移転 容量 |
| 1.70 |
| ロープ | |
Q g | ゲートチャージ | v 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V |
| 4.2 |
| 微分 |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =400A, r g =2.2Ω v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C |
| 76 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 57 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 529 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 73 |
| NS | |
e on | オン スイッチング 損失 |
| 5.2 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 23.2 |
| mJ | |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =400A, r g =2.2Ω v 遺伝子組み換え =±15V T j = 125O C |
| 81 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 62 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 567 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 81 |
| NS | |
e on | オン スイッチング 損失 |
| 9.9 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 31.7 |
| mJ | |
わかった SC |
SC データ | T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C,V 定電流 =900V v 単数 ≤1200V |
|
2800 |
|
A について |
ダイオード 特徴 T C =25 O C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v F | ダイオード 前向き 圧力は | わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C |
| 1.96 | 2.31 | v |
わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125O C |
| 1.98 |
| |||
Q r | 回収された電荷 | v r =600V,I F =400A, -di/dt=6000A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 O C |
| 24.9 |
| 微分 |
わかった ロープ | ピーク逆 回復電流 |
| 317 |
| A について | |
e レス | 逆転回復 エネルギー |
| 16.0 |
| mJ | |
Q r | 回収された電荷 | v r =600V,I F =400A, -di/dt=6000A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 125O C |
| 35.5 |
| 微分 |
わかった ロープ | ピーク逆 回復電流 |
| 391 |
| A について | |
e レス | 逆転回復 エネルギー |
| 21.4 |
| mJ |
モジュール 特徴 T C =25 O C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
L CE | 流れる誘導力 |
|
| 20 | nH |
r CC+EE | モジュールリードレジスタ ターミナルからチップへ |
| 0.18 |
| mΩ |
r thJC | ケース対ケース (IGBごとに) T) について ケースへの接点 (DIあたり) オーデ) |
|
| 0.047 0.100 | 総量 |
r thCH | ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い) |
| 0.015 0.031 0.010 |
| 総量 |
m | 端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6 | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | N.M<br> |
g | 重量 の モジュール |
| 300 |
| g |
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