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簡単な紹介
IGBT モジュール , STARPOWERによって製造されました。 1200V 400A。
特徴
典型的な用途
絶対値 最大 レーティング T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
説明 |
GD400HFU120C2S |
ユニット |
V CES |
集合器-放出器の電圧 |
1200 |
V |
V 総エネルギー |
ゲート・エミッター・ボルト |
± 20 |
V |
わかった C |
コレクタ電流 @ T C = 25°C @ T C =80 について °C |
660 400 |
A について |
わかった Cm (1) |
パルスコレクター電流 t p =1ms |
800 |
A について |
わかった F |
ダイオード 連続前流 |
400 |
A について |
わかった Fm (1) |
ダイオード 最大前向き回転 賃貸 |
800 |
A について |
P D |
最大電源 消耗 @ T j = 150°C |
2660 |
W について |
T SC |
短回路 耐える時間 @ T j =125 について °C |
10 |
μs |
T j |
交差点最大温度 |
150 |
°C |
T STG |
保管温度範囲 |
-40から+125 |
°C |
V ISO |
隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分 |
2500 |
V |
固定トルク |
電力端末スクリュー:M6 |
2.5から 5.0 |
N.M<br> |
マウント スクリュー:M6 |
平均的な 6.0 |
N.M<br> |
電気 特徴 の IGBT T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
特徴から外れている
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
V (BR )CES |
収集-発信 突入電圧 |
T j =25 °C |
1200 |
|
|
V |
わかった CES |
収集家 カット -オフ 現在 |
V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C |
|
|
5.0 |
mA |
わかった 総エネルギー |
ゲート発射器の漏れ 現在 |
V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 °C |
|
|
400 |
nA |
特徴について
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
V 遺伝子組み換え (tH ) |
ゲート発信者の限界値 圧力は |
わかった C =4.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 °C |
4.4 |
4.9 |
6.0 |
V |
|
V 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 |
わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C |
|
3.10 |
3.60 |
V |
わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j = 125°C |
|
3.45 |
|
変形する特性
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
t d (on ) |
オンする遅延時間 |
V CC =600V,I C =400A, R G =2.2Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15 V, T j =25 °C |
|
680 |
|
nS |
t r |
昇る時間 |
|
142 |
|
nS |
|
t d (オフ ) |
切断する 遅延時間 |
|
638 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
99 |
|
nS |
|
E on |
オン 切り替え 損失 |
|
19.0 |
|
mJ |
|
E オフ |
切断する 損失 |
|
32.5 |
|
mJ |
|
t d (on ) |
オンする遅延時間 |
V CC =600V,I C =400A, R G =2.2Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15 V, T j = 125°C |
|
690 |
|
nS |
t r |
昇る時間 |
|
146 |
|
nS |
|
t d (オフ ) |
切断する 遅延時間 |
|
669 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
108 |
|
nS |
|
E on |
オン 切り替え 損失 |
|
26.1 |
|
mJ |
|
E オフ |
切断する 損失 |
|
36.7 |
|
mJ |
|
C ies |
入力容量 |
V CE =30V,f=1MHz, V 遺伝子組み換え =0V |
|
33.7 |
|
ロープ |
C オーエス |
輸出容量 |
|
2.99 |
|
ロープ |
|
C res |
逆転移転 容量 |
|
1.21 |
|
ロープ |
|
|
わかった SC |
SC データ |
T P ≤ 10μs,V 遺伝子組み換え =15 V, T j =25 °C , V CC =600V V 単数 ≤ 1200V |
|
2600 |
|
A について |
R ゲント |
内部ゲート抵抗 タンス |
|
|
0.5 |
|
ω |
L CE |
流れる誘導力 |
|
|
|
18 |
nH |
R CC + ロープ ’ |
モジュール鉛抵抗 これ、 ターミナルからチップへ |
T C =25 °C |
|
0.32 |
|
m ω |
電気 特徴 の ダイオード T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
|
V F |
ダイオード 前向き 圧力は |
わかった F =400A |
T j =25 °C |
|
1.95 |
2.35 |
V |
T j = 125°C |
|
1.85 |
|
||||
Q r |
回収された電荷 |
わかった F =400A, V R =600 について V, di/dt=-2850A/μs V 遺伝子組み換え =- やってる 15V |
T j =25 °C |
|
24.1 |
|
微分 |
T j = 125°C |
|
44.3 |
|
||||
わかった ロープ |
ピーク逆 回復電流 |
T j =25 °C |
|
220 |
|
A について |
|
T j = 125°C |
|
295 |
|
||||
E レス |
逆転回復 エネルギー |
T j =25 °C |
|
13.9 |
|
mJ |
|
T j = 125°C |
|
24.8 |
|
||||
熱特性 ics
シンボル |
パラメータ |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
R θ JC さん |
ケース対ケース (IGごとに) 国内外 |
|
0.047 |
総量 |
R θ JC さん |
交差点 (Dあたり) ヨード) |
|
0.096 |
総量 |
R θ CS |
ケースからシンク (電導性油脂) 回答しました) |
0.035 |
|
総量 |
G |
重さ モジュール |
350 |
|
g |
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