ホームペーじ / 製品 / IGBT モジュール / IGBTモジュール 1200V
簡潔な紹介
IGBT モジュール , STARPOWERによって製造されました。 1200V 400A。
特徴
典型的な用途
絶対値 最大 レーティング T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | 説明 | GD400HFU120C2S | ユニット |
v CES | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v |
v 総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ± 20 | v |
わかった C | コレクタ電流 @ T C = 25°C @ T C =80 について °C | 660 400 | A について |
わかった cm (1) | パルスコレクター電流 t P =1ms | 800 | A について |
わかった F | ダイオード 連続前流 | 400 | A について |
わかった Fm (1) | ダイオード 最大前向き回転 賃貸 | 800 | A について |
P D | 最大電源 消耗 @ T j = 150°C | 2660 | W について |
T SC | 短回路 耐える時間 @ T j =125 について °C | 10 | μs |
T j | 交差点最大温度 | 150 | °C |
T STG | 保管温度範囲 | -40から+125 | °C |
v ISO | 隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分 | 2500 | v |
固定トルク | 電力端末スクリュー:M6 | 2.5から 5.0 | N.M<br> |
マウント スクリュー:M6 | 平均的な 6.0 | N.M<br> |
電気 特徴 の IGBT T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
特徴から外れている
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v (BR )CES | 収集-発信 突入電圧 | T j =25 °C | 1200 |
|
| v |
わかった CES | 収集家 カット -オフ 現在 | v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C |
|
| 5.0 | mA |
わかった 総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 現在 | v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C |
|
| 400 | NA |
特徴について
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v 遺伝子組み換え (TH ) | ゲート発信者の限界値 圧力は | わかった C =4.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 °C | 4.4 | 4.9 | 6.0 | v |
v 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 | わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C |
| 3.10 | 3.60 |
v |
わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j = 125°C |
| 3.45 |
|
変形する特性
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =400A, r g =2.2Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15 V, T j =25 °C |
| 680 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 142 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 638 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 99 |
| NS | |
e on | オン 切り替え 損失 |
| 19.0 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 32.5 |
| mJ | |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =400A, r g =2.2Ω,V 遺伝子組み換え = ± 15 V, T j = 125°C |
| 690 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 146 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 669 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 108 |
| NS | |
e on | オン 切り替え 損失 |
| 26.1 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 36.7 |
| mJ | |
C ies | 入力容量 |
v CE =30V,f=1MHz, v 遺伝子組み換え =0V |
| 33.7 |
| ロープ |
C オーエス | 輸出容量 |
| 2.99 |
| ロープ | |
C res | 逆転移転 容量 |
| 1.21 |
| ロープ | |
わかった SC |
SC データ | T P ≤ 10μs,V 遺伝子組み換え =15 V, T j =25 °C , v 定電流 =600V v 単数 ≤ 1200V |
|
2600 |
|
A について |
r ゲント | 内部ゲート抵抗 タンス |
|
| 0.5 |
| Ω |
L CE | 流れる誘導力 |
|
|
| 18 | nH |
r 定電流 + ロープ ’ | モジュール鉛抵抗 これ、 ターミナルからチップへ | T C =25 °C |
| 0.32 |
| m Ω |
電気 特徴 の ダイオード T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット | |
v F | ダイオード 前向き 圧力は | わかった F =400A | T j =25 °C |
| 1.95 | 2.35 | v |
T j = 125°C |
| 1.85 |
| ||||
Q r | 回収された電荷 |
わかった F =400A, v r =600 について V, di/dt=-2850A/μs v 遺伝子組み換え =- やってる 15V | T j =25 °C |
| 24.1 |
| 微分 |
T j = 125°C |
| 44.3 |
| ||||
わかった ロープ | ピーク逆 回復電流 | T j =25 °C |
| 220 |
| A について | |
T j = 125°C |
| 295 |
| ||||
e レス | 逆転回復 エネルギー | T j =25 °C |
| 13.9 |
| mJ | |
T j = 125°C |
| 24.8 |
| ||||
熱特性 ics
シンボル | パラメータ | タイプする | マックス。 | ユニット |
r θ JC さん | ケース対ケース (IGごとに) 国内外 |
| 0.047 | 総量 |
r θ JC さん | 交差点 (Dあたり) ヨード) |
| 0.096 | 総量 |
r θ CS | ケースからシンク (電導性油脂) 回答しました) | 0.035 |
| 総量 |
g | 重さ モジュール | 350 |
| g |
当社の専門営業チームがあなたの相談をお待ちしています。
商品リストをご覧になり 気になる質問をしてください
EN
