IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C

@ T C =100 O C

769

400

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

800

A について

P D

最大電源 消耗 @ T vj =1 75O C

2272

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

T vjmax

交差点最大温度

175

O C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

2500

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C

1.85

2.30

v

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について O C

2.25

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について O C

2.35

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =16.00 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え ,T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T vj =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T vj =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗

0.5

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, v 遺伝子組み換え =0V

43.2

ロープ

C res

逆転移転

容量

1.18

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

3.36

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =400A, r g =2Ω L s =45 nH ,

v 遺伝子組み換え =±15V T vj =25 O C

288

NS

T r

昇る時間

72

NS

T 消して

切断する 遅延時間

314

NS

T F

秋の時間

55

NS

e on

オン スイッチング

損失

43.6

mJ

e オフ

切断する

損失

12.4

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =400A, r g =2Ω L s =45 nH ,

v 遺伝子組み換え =±15V T vj =125 について O C

291

NS

T r

昇る時間

76

NS

T 消して

切断する 遅延時間

351

NS

T F

秋の時間

88

NS

e on

オン スイッチング

損失

57.6

mJ

e オフ

切断する

損失

17.1

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =400A, r g =2Ω L s =45 nH ,

v 遺伝子組み換え =±15V T vj =150 について O C

293

NS

T r

昇る時間

78

NS

T 消して

切断する 遅延時間

365

NS

T F

秋の時間

92

NS

e on

オン スイッチング

損失

62.8

mJ

e オフ

切断する

損失

18.6

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V

T vj =150 について O C,V 定電流 =800V v 単数 ≤1200V

1500

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

v

わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について O C

1.90

わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について O C

1.95

Q r

回復した

充電

v r =600V,I F =400A,

-di/dt=4130A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V L s =45 nH ,T vj =25 O C

38.8

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

252

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

11.2

mJ

Q r

回復した

充電

v r =600V,I F =400A,

-ディ /dt =3860A/μs v 遺伝子組み換え =- やってる 15V L s =45 nH ,T vj =125 について O C

61.9

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

255

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

18.7

mJ

Q r

回復した

充電

v r =600V,I F =400A,

-ディ /dt =3720A/μs v 遺伝子組み換え =- やってる 15V L s =45 nH ,T vj =150 について O C

75.9

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

257

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

20.5

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

r CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.35

mΩ

r thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.066

0.115

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンク (pe) ダイオード)

ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.031

0.055

0.010

総量

m

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

300

g