GD400CLU120C2S、IGBTモジュール、チョッパー一体型、STARPOWER

紹介

簡単な紹介

IGBT モジュール , STARPOWERによって製造されました。 1200V 400A。

特徴

NPT IGBT テクノロジー
10μs短回路能力
低スイッチング損失
超高速性能で頑丈
陽性温度係数を持つ VCE (sat)
速くて柔らかい逆回復対称性のないFWD
DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的な アプリケーション

切り替えモード電源
感電式加熱
電子溶接機

絶対値 最大 レーティング T C =25 o C しない限り違うなら記載

IGBT

シンボル	説明	価値	ユニット
V CES	集合器-放出器の電圧	1200	V
V 総エネルギー	ゲート・エミッター・ボルト	±20	V
わかった C	コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C =60 o C	505 400	A について
わかった Cm	パルスコレクター電流 t p =1ms	800	A について
P D	最大電源消耗 @ T j =150 について o C	2358	W について

ダイオード

シンボル	説明	価値	ユニット
V RRM	繰り返しのピーク逆電圧	1200	V
わかった F	ダイオード連続前向き賃貸	400	A について
わかった Fm	ダイオード最大順方向電流 t p =1ms	800	A について

モジュール

シンボル	説明	価値	ユニット
T jmax	交差点最大温度	150	o C
T ショウジョウ	交差点の動作温度	-40から+125	o C
T STG	保管温度航続距離	-40から+125	o C
V ISO	絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し	2500	V

IGBT 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
V 衛星	収集機から発信機へ飽和電圧	わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C		2.90	3.35	V
V 衛星	収集機から発信機へ飽和電圧	わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C		3.60		V
V 遺伝子組み換え (tH )	ゲート発信者の限界値圧力は	わかった C =4.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C	5.0	5.8	6.6	V
わかった CES	収集家カット -オフ現在	V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 o C			5.0	mA
わかった総エネルギー	ゲート発射器の漏れ現在	V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C			400	nA
R ゲント	内部ゲート抵抗アンス			0.5		ω
C ies	入力容量	V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V		26.2		ロープ
C res	逆転移転容量	V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V		1.68		ロープ
Q G	ゲートチャージ	V 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V		4.18		微分
t d (on )	オンする遅延時間	V CC =600V,I C =400A, R G =2.4Ω, V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 o C		337		nS
t r	昇る時間			88		nS
t d (オフ )	切断する遅延時間			460		nS
t f	秋の時間			116		nS
E on	オンスイッチング損失			21.2		mJ
E オフ	切断する損失			19.4		mJ
t d (on )	オンする遅延時間	V CC =600V,I C =400A, R G =2.4Ω, V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C		359		nS
t r	昇る時間			90		nS
t d (オフ )	切断する遅延時間			492		nS
t f	秋の時間			128		nS
E on	オンスイッチング損失			29.4		mJ
E オフ	切断する損失			26.0		mJ
わかった SC	SC データ	t P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V		2400		A について

ダイオード 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
V F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C		2.00	2.45	V
V F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C		2.10		V
Q r	回収された電荷	V CC =600V,I F =400A, -di/dt=2840A/μs,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 o C		27.0		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			280		A について
E レス	逆転回復エネルギー			16.6		mJ
Q r	回収された電荷	V CC =600V,I F =400A, -di/dt=2840A/μs,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C		46.0		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			380		A について
E レス	逆転回復エネルギー			30.0		mJ

モジュール 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	分。	タイプする	マックス。	ユニット
R thJC	ケース対ケース (IGBごとに) T) について交差点 (Dあたり) ヨード)			0.053 0.103	総量
R thCH	ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）ケースからヒートシンクへの（per モジュール)		0.048 0.094 0.032		総量
M	端末接続トーク六角ボルトM6 固定トーク六角ボルトM6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M<br>
G	重量のモジュール		350		g