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IGBTモジュール 1200V

IGBTモジュール 1200V

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GD300SGY120C2S,IGBTモジュール,STARPOWER

1200V 300A

Brand:
ストアパワー
Spu:
GD300SGY120C2S
  • はじめに
  • 概要
はじめに

簡潔な紹介

IGBT モジュール STARPOWERによって製造されました。1200V 600A。

特徴

  • 低VCE(sat)トレンチIGBT技術
  • 10μs短回路能力
  • 陽性温度係数を持つ VCE (sat)
  • 最大接合温度 175oC
  • 低感受性ケース
  • 速くて柔らかい逆回復 対称性のないFWD
  • DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的な 申請

  • モータードライブ用インバータ
  • ACおよびDCサーボドライブアンプ
  • 無停電電源装置

絶対値 最大 レーティング T C =25 O C しない限り 違うなら 記載

IGBT

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C

@ T C =100 O C

480

300

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

600

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 O C

1613

W について

ダイオード

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

300

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

600

A について

モジュール

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

4000

v

IGBT 特徴 T C =25 O C しない限り 違うなら 記載

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

衛星の VCE (衛星)

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=300A,VGE=15V, Tj=25oC

1.70

2.15

v

IC=300A,VGE=15V, Tj=125oC

1.95

IC=300A,VGE=15V, Tj=150oC

2.00

総額は

ゲート-エミッタ閾値電圧

IC=7.50mA,VCE=VGE, Tj=25oC

5.2

6.0

6.8

v

ICES

収集器の切断

現在

VCE=VCES,VGE=0V

Tj=25°C

1.0

mA

ゲノム

ゲート-エミッタリーク電流

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC

400

NA

RGint について

内部ゲート抵抗

2.5

Ω

サイエス

入力容量

VCE=25V,f=1Mhz,

VGE=0V

31.1

ロープ

クレス

逆転移転

容量

0.87

ロープ

司令部

ゲートチャージ

VGE=- 15…+15V

2.33

微分

オン (オン)

オンする遅延時間

VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC

182

NS

について

昇る時間

54

NS

消して

オフ遅延時間

464

NS

TF

秋の時間

72

NS

エオン

オン 切り替え

損失

10.6

mJ

オーフ

切断する

損失

25.8

mJ

オン (オン)

オンする遅延時間

VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC

193

NS

について

昇る時間

54

NS

消して

オフ遅延時間

577

NS

TF

秋の時間

113

NS

エオン

オン 切り替え

損失

16.8

mJ

オーフ

切断する

損失

38.6

mJ

オン (オン)

オンする遅延時間

VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC

203

NS

について

昇る時間

54

NS

消して

オフ遅延時間

618

NS

TF

秋の時間

124

NS

エオン

オン 切り替え

損失

18.5

mJ

オーフ

切断する

損失

43.3

mJ

短絡電流

SC データ

試験用電池の電源が電源の電源を供給する電源が電源を供給する電源が電源を供給する電源が電源を供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源

Tj=150oC,VCC=900V, VCEM≤1200V

1200

A について

ダイオード 特徴 T C =25 O C しない限り 違うなら 記載

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

VF について

ダイオード 前向き

圧力は

IF=300A,VGE=0V,Tj=25oC

1.65

2.10

v

IF=300A,VGE=0V,Tj= 125oC

1.65

IF=300A,VGE=0V,Tj= 150oC

1.65

Qr

回収された電荷

VCC=600V,IF=300A,

-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj=25oC

29

微分

IRM

ピーク逆

回復電流

318

A について

エレック

逆再生エネルギー

18.1

mJ

Qr

回収された電荷

VCC=600V,IF=300A,

-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj= 125oC

55

微分

IRM

ピーク逆

回復電流

371

A について

エレック

逆再生エネルギー

28.0

mJ

Qr

回収された電荷

VCC=600V,IF=300A,

-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj= 150oC

64

微分

IRM

ピーク逆

回復電流

390

A について

エレック

逆再生エネルギー

32.8

mJ

モジュール 特徴 T C =25 O C しない限り 違うなら 記載

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

LCE

流れる誘導力

20

nH

RCC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.35

RthJC

接続・ケース (IGBTごとに)

ケースへの接点 (ダイオードごとに)

0.093

0.155

総量

RthCH

ケースからヒートシンクへ (IGBTごと)

ケースからヒートシンクへの接続 (ダイオードごと)

ケースからヒートシンクへの接続 (モジュールごと)

0.016

0.027

0.010

総量

m

端子接続トルク, スクリュー M6 取り付けトルク, スクリュー M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

g

モジュールの重量

300

g

概要

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