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簡単な紹介：
YTによるカスタマイズ生産、StakPakパッケージ、 IGBT モジュール FWD付き。
特徴
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最大 率定 値
パラメータ | シンボル | 条件 | 価値 | ユニット |
集合器-放出器の電圧 | v CES | v 遺伝子組み換え =0V T vj =25 違う C | 4500 | v |
DC コレクタ 銅 rrent | わかった C | T C =100 違う C,T vj =125 について 違う C | 2000 | A について |
ピークコレクタ電流 | わかった cm | T P =1ms | 4000 | A について |
ゲート -エミッタ 圧力は | v 総エネルギー |
| ± 20 | v |
総 電力 散熱 | P tot | T C =25 違う C,T vj =125 について 違う C | 20800 | W について |
DC フォワード Cu rrent | わかった F |
| 2000 | A について |
頂点 フォワード Cur 賃貸 | わかった FRM | T P =1ms | 4000 | A について |
サージ電流 | わかった FSM | v r =0V,T vj =125 について 違う C, T P =10ms,半正弦波 | 14000 | A について |
IGBT 短絡 SOA | T psc | v 定電流 =3400V, v 単数 チップ ≤4500V v 遺伝子組み換え ≤15V,T vj ≤125 違う C | 10 | μs |
最大接合 温度 | T vj (マックス ) |
| 125 | °C |
接合 動作温度 | T vj (op ) |
| -40~125 | °C |
ケース温度 | T C |
| -40~125 | °C |
保管温度 | T STG |
| -40~70 | °C |
取り付け力 | F m |
| 60~75 | KN |
IGBT 特性値
パラメータ | シンボル | 条件 | 価値 | ユニット | |||
分。 | タイプする | マックス。 | |||||
コレクタ-エミッタ破壊電圧 | 特別特別特別特別特別 | VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25℃ | 4500 |
|
| v | |
コレクタ-エミッタ飽和電圧 | 衛星の VCE (衛星) | IC=2000A, VGE=15V | Tvj=25℃ |
| 2.70 | 3.05 | v |
Tvj=125℃ |
| 3.35 | 3.85 | v | |||
コレクタ-エミッタカットオフ電流 | ICES | VCE=4500V, VGE=0V | Tvj=25℃ |
|
| 1 | mA |
Tvj=125℃ |
| 15 | 100 | mA | |||
ゲート-エミッタリーク電流 | ゲノム | VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125℃ | -500 |
| 500 | NA | |
ゲート-エミッタ閾値電圧 | 総額は | IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25℃ | 6.7 |
| 7.7 | v | |
ゲートチャージ | 司令部 | IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V |
| 10 |
| 微分 | |
入力容量 | サイエス |
VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25℃ |
| 213 |
| ロープ | |
輸出容量 | コース |
| 15.3 |
| ロープ | ||
逆転移容量 | クレス |
| 4.7 |
| ロープ | ||
内部ゲート抵抗 | RGint について |
|
| 0 |
| Ω | |
オンする遅延時間 | オン (オン) |
IC=2000A, VCE=2800V, VGE=±15V, RGon=1.8Ω, RGoff=8.2Ω, Cge=330nF, LS=140nH, 感应負荷 | Tvj=25℃ |
| 1100 |
| NS |
Tvj=125℃ |
| 900 |
| NS | |||
昇る時間 | について | Tvj=25℃ |
| 400 |
| NS | |
Tvj=125℃ |
| 450 |
| NS | |||
オフ遅延時間 | 消して | Tvj=25℃ |
| 3800 |
| NS | |
Tvj=125℃ |
| 4100 |
| NS | |||
秋の時間 | TF | Tvj=25℃ |
| 1200 |
| NS | |
Tvj=125℃ |
| 1400 |
| NS | |||
オンスイッチングエネルギー | エオン | Tvj=25℃ |
| 14240 |
| mJ | |
Tvj=125℃ |
| 15730 |
| mJ | |||
オフスイッチングエネルギー | オーフ | Tvj=25℃ |
| 6960 |
| mJ | |
Tvj=125℃ |
| 8180 |
| mJ | |||
短絡電流 |
短絡電流 | VGE≤15V, tpsc≤10µs, VCC=3400V, Tvj=125℃ VCEM チップ≤4500V |
|
8400 |
|
A について | |
ダイオード特性値
パラメータ | シンボル | 条件 | 価値 | ユニット | |||
分。 | タイプする | マックス。 | |||||
順方向電圧 | VF について | IF=2000A | Tvj=25℃ |
| 2.60 |
| v |
Tvj=125℃ |
| 2.85 |
| v | |||
逆回復電流 | Irr |
IF=2000A, VR=2800V, VGE=15V, RGon=1.8Ω, LS=140nH, 感应負荷 | Tvj=25℃ |
| 1620 |
| A について |
Tvj=125℃ |
| 1970 |
| A について | |||
逆回復電荷 | Qrr | Tvj=25℃ |
| 1750 |
| uC | |
Tvj=125℃ |
| 2700 |
| uC | |||
逆回復時間 | trr | Tvj=25℃ |
| 4.0 |
| 米国 | |
Tvj=125℃ |
| 5.1 |
| 米国 | |||
逆回復エネルギー損失 | エレック | Tvj=25℃ |
| 2350 |
| mJ | |
Tvj=125℃ |
| 3860 |
| mJ | |||
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