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4500V 2000A
簡単な紹介：
YTによるカスタマイズ生産、StakPakパッケージ、 IGBT モジュール fWD付き。
特徴
アプリケーション
最大 率定 バリュー
パラメータ |
シンボル |
条件 |
価値 |
ユニット |
集合器-放出器の電圧 |
V CES |
V 遺伝子組み換え =0V T vj =25 違う C |
4500 |
V |
DC コレクタ 銅 rrent |
わかった C |
T C =100 違う C,T vj =125 について 違う C |
2000 |
A について |
ピークコレクタ電流 |
わかった Cm |
t p =1ms |
4000 |
A について |
ゲート -エミッタ 圧力は |
V 総エネルギー |
|
± 20 |
V |
総 電力 散熱 |
P tot |
T C =25 違う C,T vj =125 について 違う C |
20800 |
W について |
DC フォワード Cu rrent |
わかった F |
|
2000 |
A について |
頂点 フォワード Cur 賃貸 |
わかった FRM |
t p =1ms |
4000 |
A について |
サージ電流 |
わかった FSM |
V R =0V,T vj =125 について 違う C, t p =10ms,半正弦波 |
14000 |
A について |
IGBT 短絡 SOA |
t psc |
V CC =3400V, V 単数 チップ ≤4500V V 遺伝子組み換え ≤15V,T vj ≤125 違う C |
10 |
μs |
最大接合 温度 |
T vj (マックス ) |
|
125 |
°C |
接合 動作温度 |
T vj (op ) |
|
-40~125 |
°C |
ケース温度 |
T C |
|
-40~125 |
°C |
保管温度 |
T sTG |
|
-40~70 |
°C |
取り付け力 |
F M |
|
60~75 |
kN |
IGBT 特性値
パラメータ |
シンボル |
条件 |
価値 |
ユニット |
|||
分。 |
タイプする |
マックス。 |
|||||
コレクタ-エミッタ破壊電圧 |
特別特別特別特別特別 |
VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25℃ |
4500 |
|
|
V |
|
コレクタ-エミッタ飽和電圧 |
衛星の VCE (衛星) |
IC=2000A, VGE=15V |
Tvj=25℃ |
|
2.70 |
3.05 |
V |
Tvj=125℃ |
|
3.35 |
3.85 |
V |
|||
コレクタ-エミッタカットオフ電流 |
ICES |
VCE=4500V, VGE=0V |
Tvj=25℃ |
|
|
1 |
mA |
Tvj=125℃ |
|
15 |
100 |
mA |
|||
ゲート-エミッタリーク電流 |
ゲノム |
VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125℃ |
-500 |
|
500 |
nA |
|
ゲート-エミッタ閾値電圧 |
総額は |
IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25℃ |
6.7 |
|
7.7 |
V |
|
ゲートチャージ |
司令部 |
IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V |
|
10 |
|
微分 |
|
入力容量 |
サイエス |
VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25℃ |
|
213 |
|
ロープ |
|
輸出容量 |
コース |
|
15.3 |
|
ロープ |
||
逆転移容量 |
クレス |
|
4.7 |
|
ロープ |
||
内部ゲート抵抗 |
RGint について |
|
|
0 |
|
ω |
|
オンする遅延時間 |
オン (オン) |
IC=2000A, VCE=2800V, VGE=±15V, RGon=1.8Ω, RGoff=8.2Ω, Cge=330nF, LS=140nH, 感应負荷 |
Tvj=25℃ |
|
1100 |
|
nS |
Tvj=125℃ |
|
900 |
|
nS |
|||
昇る時間 |
について |
Tvj=25℃ |
|
400 |
|
nS |
|
Tvj=125℃ |
|
450 |
|
nS |
|||
オフ遅延時間 |
消して |
Tvj=25℃ |
|
3800 |
|
nS |
|
Tvj=125℃ |
|
4100 |
|
nS |
|||
秋の時間 |
tF |
Tvj=25℃ |
|
1200 |
|
nS |
|
Tvj=125℃ |
|
1400 |
|
nS |
|||
オンスイッチングエネルギー |
エオン |
Tvj=25℃ |
|
14240 |
|
mJ |
|
Tvj=125℃ |
|
15730 |
|
mJ |
|||
オフスイッチングエネルギー |
オーフ |
Tvj=25℃ |
|
6960 |
|
mJ |
|
Tvj=125℃ |
|
8180 |
|
mJ |
|||
短絡電流 |
短絡電流 |
VGE≤15V, tpsc≤10µs, VCC=3400V, Tvj=125℃ VCEM チップ≤4500V |
|
8400 |
|
A について |
|
ダイオード特性値
パラメータ |
シンボル |
条件 |
価値 |
ユニット |
|||
分。 |
タイプする |
マックス。 |
|||||
順方向電圧 |
VF について |
IF=2000A |
Tvj=25℃ |
|
2.60 |
|
V |
Tvj=125℃ |
|
2.85 |
|
V |
|||
逆回復電流 |
Irr |
IF=2000A, VR=2800V, VGE=15V, RGon=1.8Ω, LS=140nH, 感应負荷 |
Tvj=25℃ |
|
1620 |
|
A について |
Tvj=125℃ |
|
1970 |
|
A について |
|||
逆回復電荷 |
Qrr |
Tvj=25℃ |
|
1750 |
|
uC |
|
Tvj=125℃ |
|
2700 |
|
uC |
|||
逆回復時間 |
trr |
Tvj=25℃ |
|
4.0 |
|
米国 |
|
Tvj=125℃ |
|
5.1 |
|
米国 |
|||
逆回復エネルギー損失 |
エレック |
Tvj=25℃ |
|
2350 |
|
mJ |
|
Tvj=125℃ |
|
3860 |
|
mJ |
|||
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