IGBTモジュール 4500V

パラメータ

シンボル

条件

価値

ユニット

収集家 ‐エミッタ 圧力は

v CES

v 遺伝子組み換え =0V T vj =25 違う C

4500

v

DC 収集家 現在

わかった C

T C =100 違う C, T vj =125 について 違う C

3000

A について

頂点 収集家 現在

わかった cm

T P =1 Ms

6000

A について

ゲート ‐エミッタ 圧力は

v 総エネルギー

± 20

v

総 電力 散熱

P tot

T C =25 違う C, T vj =125 について 違う C

31200

W について

DC フォワード 現在

わかった F

3000

A について

頂点 フォワード 現在

わかった FRM

T P =1 Ms

6000

A について

サージ 現在

わかった FSM

v r =0V T vj =125 について 違う C,

T P =10 Ms ,半分 ‐正弦波

21000

A について

IGBT 短く 回路 SOA

T psc

v 定電流 =3400V, v 単数 チップ ≤4500V v 遺伝子組み換え ≤15V, T vj ≤125 違う C

10

μs

最大 接合 温度

T vj (マックス )

125

°C

接合 動作 温度

T vj (op )

‐40~125

°C

場合 温度

T C

‐40~125

°C

ストレージ 温度

T STG

‐40~70

°C

マウント 力

F m

90~130

KN

パラメータ

シンボル

条件

価値

ユニット

ほんの少し .

タイプする

マックス .

順方向電圧

v F

わかった F =3000A

T vj =25 °C

2.60

v

T vj =125 について °C

2.85

v

逆 回復電流

わかった ロープ

IF=3000A, VR=2800V,

diF/dt=‐2500A/μs, VGE=15V,

RGon=1.5Ω,

LS=140nH,

感应負荷

T vj =25 °C

1690

A について

T vj =125 について °C

2750

A について

逆 リカバリーチャージ

Q ロープ

T vj =25 °C

3000

uC

T vj =125 について °C

3950

uC

逆 回復時間

T ロープ

T vj =25 °C

1.80

米国

T vj =125 について °C

2.20

米国

逆 回復 エネルギー 損失

e レス

T vj =25 °C

4000

mJ

T vj =125 について °C

6300

mJ