YMIF1500-33 | I1-01、IGBTモジュール、シングルスイッチIGBT、38mm、CRRC

パラメータ

符号

条件

最小値

最大値

単 位

ゲート－エミッタ短絡時のコレクタ エミッタ電圧

V CES

3300

V

集電極電流

わかった C

1500

A について

最大コレクタピーク電流

わかった Cm

t p =1 ms

3000

A について

コレクタ－エミッタ短絡時のゲート エミッタ電圧

V 総エネルギー

-20

20

V

総消散電力

P tot

T c =25°C, Tvj =150°C

14700

W について

ダイオード順方向平均電流

わかった F

1500

A について

ダイオード順方向再現可能ピーク電流

わかった FRM

3000

A について

ダイオードサージ電流

わかった FSM

V R =0V T vj =150°C, t p =10 ms ,正弦半波

13500

A について

短絡安全動作領域

t psc

V CC =2500V, V 遺伝子組み換え ≤ 15V T vj ≤ 150°C

10

µs

绝缘電圧

V 孤立

1ほんの少し f=50 について Hz

6000

V

結温

T vj

175

°C

動作結温

T vj(op)

-50

150

°C

ケース温度

T c

-50

150

°C

保存温度

T sTG

-50

125

°C

取り付けトルク

M s

ベースプレートとヒートシンクの間 M6 ネジ

4

6

Nm

M t1

主電極 M8 ネジ

8

10

M t2

補助電極 M4 ネジ

2

3

パラメータ

符号

条件

最小値

特性値

最大値

単位

ゲート－エミッタ短絡時の コレクタ－エミッタ電圧

V (BR )CES

V 遺伝子組み換え =0V わかった C =10 mA ,T vj =25°C

3300

V

コレクタ－エミッタ飽和電 圧

V CEsat

わかった C =1500A, V 遺伝子組み換え =15V

T vj =25°C

2.5

2.9

V

T vj =125°C

3.1

3.4

V

T vj = 150°C

3.25

集電極カットオフ電流

わかった CES

V CE =3300V, V 遺伝子組み換え =0V

T vj =25°C

0.06

4

mA

T vj =125°C

20

40

mA

T vj = 150°C

100

ゲートリーク電流

わかった 総エネルギー

V CE =0V V 遺伝子組み換え = ± 20V, T vj =125°C

-500

500

nA

ゲート－エミッタ閾値電圧

V 総額

わかった C =240 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え ,T vj =25°C

5

7

V

ゲートチャージ

Q G

わかった C =1500A, V CE =1800V, V 遺伝子組み換え =-15V..15V

11

µC

输入電容量

C ies

V CE =25V, V 遺伝子組み換え =0V,f=1 MHz , T vj =25°C

151

ロープ

出力キャパシタンス

C オーエス

12.6

逆伝送容量

C res

3.85

オン遅延

t d (on )

V CC =1800V, わかった C =1500A,

V 遺伝子組み換え =±15V Cge =330 ロープ ,

R G = 1.0ω ,L σ =280 nH ,

インダクティブ負荷

T vj =25°C

650

nS

T vj =125°C

590

T vj =150°C

590

立ち上がり時間

t r

T vj =25°C

240

T vj =125°C

270

T vj =150°C

280

シャットダウン遅延

t d (オフ )

V CC =1800V, わかった C =1500A,

V 遺伝子組み換え =±15V Cge =330 ロープ ,

R G = 1.0ω ,L σ =280 nH ,

インダクティブ負荷

T vj =25°C

1600

nS

T vj =125°C

1750

T vj =150°C

1800

下降時間

t f

T vj =25°C

380

T vj =125°C

440

T vj =150°C

470

オンエネルギー

E on

V CC =1800V, わかった C =1500A,

V 遺伝子組み換え =±15V Cge =330 ロープ ,

R G = 1.0ω ,L σ =280 nH ,

インダクティブ負荷

T vj =25°C

1600

mJ

T vj =125°C

2150

T vj =150°C

2350

シャットダウンエネルギー

E オフ

V CC =1800V, わかった C =1500A,

V 遺伝子組み換え =±15V Cge =330 ロープ ,

R G = 1.0ω ,L σ =280 nH ,

インダクティブ負荷

T vj =25°C

2`00

mJ

T vj =125°C

2800

T vj =150°C

3000

短絡電流

わかった SC

t psc ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V T vj =150°C, V CC =2500V,

6400

A について

寄生インダクタンス

L σ CE

8

nH

パラメータ

符号

条件

最小値

特性値

最大値

単位

ダイオード順方向平均電圧

V F

わかった F =1500A

T vj =25°C

2.05

2.5

V

T vj =125°C

2.25

2.6

T vj = 150°C

2.2

反向復電流

わかった ロープ

V CC =1800V,

わかった C =1500A,

V 遺伝子組み換え =±15V

R G = 1.3ω ,

Cge =220 ロープ

L σ =280 nH ,

インダクティブ負荷

T vj =25°C

1700

A について

T vj =125°C

1850

A について

T vj = 150°C

1900

反向復電荷

Q ロープ

T vj =25°C

950

µC

T vj =125°C

1550

µC

T vj = 150°C

1800

逆回復時間

t ロープ

T vj =25°C

1050

nS

T vj =125°C

1350

T vj = 150°C

1500

逆回復エネルギー

E レス

T vj =25°C

1150

mJ

T vj =125°C

1900

T vj = 150°C

2250