IGBTモジュール 3300V

パラメータ

符号

条件

最小値

最大値

単 位

ゲート－エミッタ短絡時のコレクタ エミッタ電圧

vCES

3300

v

集電極電流

わかったC

1500

A について

最大コレクタピーク電流

わかったcm

TP=1Ms

3000

A について

コレクタ－エミッタ短絡時のゲート エミッタ電圧

v総エネルギー

-20

20

v

総消散電力

Ptot

TC=25°C,Tvj=150°C

14700

W について

ダイオード順方向平均電流

わかったF

1500

A について

ダイオード順方向再現可能ピーク電流

わかったFRM

3000

A について

ダイオードサージ電流

わかったFSM

vr=0VTvj=150°C,TP=10Ms,正弦半波

13500

A について

短絡安全動作領域

Tpsc

v定電流=2500V,v遺伝子組み換え≤ 15VTvj≤ 150°C

10

µs

绝缘電圧

v孤立

1ほんの少しf=50 についてHz

6000

v

結温

Tvj

175

°C

動作結温

Tvj(op)

-50

150

°C

ケース温度

TC

-50

150

°C

保存温度

TSTG

-50

125

°C

取り付けトルク

ms

ベースプレートとヒートシンクの間M6ネジ

4

6

Nm

mT1

主電極M8ネジ

8

10

mT2

補助電極M4ネジ

2

3

パラメータ

符号

条件

最小値

特性値

最大値

単位

ゲート－エミッタ短絡時の コレクタ－エミッタ電圧

v(BR)CES

v遺伝子組み換え=0VわかったC=10mA,Tvj=25°C

3300

v

コレクタ－エミッタ飽和電 圧

vCEsat

わかったC=1500A,v遺伝子組み換え=15V

Tvj=25°C

2.5

2.9

v

Tvj=125°C

3.1

3.4

v

Tvj= 150°C

3.25

集電極カットオフ電流

わかったCES

vCE=3300V,v遺伝子組み換え=0V

Tvj=25°C

0.06

4

mA

Tvj=125°C

20

40

mA

Tvj= 150°C

100

ゲートリーク電流

わかった総エネルギー

vCE=0Vv遺伝子組み換え= ±20V,Tvj=125°C

-500

500

NA

ゲート－エミッタ閾値電圧

v総額

わかったC=240mA,vCE=v遺伝子組み換え,Tvj=25°C

5

7

v

ゲートチャージ

Qg

わかったC=1500A,vCE=1800V, v遺伝子組み換え=-15V..15V

11

µC

输入電容量

Cies

vCE=25V,v遺伝子組み換え=0V,f=1MHz, Tvj=25°C

151

ロープ

出力キャパシタンス

Cオーエス

12.6

逆伝送容量

Cres

3.85

オン遅延

TD(on)

v定電流=1800V,わかったC=1500A,

v遺伝子組み換え=±15VCge=330ロープ,

rg= 1.0Ω,Lσ=280nH,

インダクティブ負荷

Tvj=25°C

650

NS

Tvj=125°C

590

Tvj=150°C

590

立ち上がり時間

Tr

Tvj=25°C

240

Tvj=125°C

270

Tvj=150°C

280

シャットダウン遅延

TD(オフ)

v定電流=1800V,わかったC=1500A,

v遺伝子組み換え=±15VCge=330ロープ,

rg= 1.0Ω,Lσ=280nH,

インダクティブ負荷

Tvj=25°C

1600

NS

Tvj=125°C

1750

Tvj=150°C

1800

下降時間

TF

Tvj=25°C

380

Tvj=125°C

440

Tvj=150°C

470

オンエネルギー

eon

v定電流=1800V,わかったC=1500A,

v遺伝子組み換え=±15VCge=330ロープ,

rg= 1.0Ω,Lσ=280nH,

インダクティブ負荷

Tvj=25°C

1600

mJ

Tvj=125°C

2150

Tvj=150°C

2350

シャットダウンエネルギー

eオフ

v定電流=1800V,わかったC=1500A,

v遺伝子組み換え=±15VCge=330ロープ,

rg= 1.0Ω,Lσ=280nH,

インダクティブ負荷

Tvj=25°C

2`00

mJ

Tvj=125°C

2800

Tvj=150°C

3000

短絡電流

わかったSC

Tpsc≤10μsv遺伝子組み換え=15VTvj=150°C, v定電流=2500V,

6400

A について

寄生インダクタンス

LσCE

8

nH

パラメータ

符号

条件

最小値

特性値

最大値

単位

ダイオード順方向平均電圧

vF

わかったF=1500A

Tvj=25°C

2.05

2.5

v

Tvj=125°C

2.25

2.6

Tvj= 150°C

2.2

反向復電流

わかったロープ

v定電流=1800V,

わかったC=1500A,

v遺伝子組み換え=±15V

rg= 1.3Ω ,

Cge=220ロープ

Lσ =280nH,

インダクティブ負荷

Tvj=25°C

1700

A について

Tvj=125°C

1850

A について

Tvj= 150°C

1900

反向復電荷

Qロープ

Tvj=25°C

950

µC

Tvj=125°C

1550

µC

Tvj= 150°C

1800

逆回復時間

Tロープ

Tvj=25°C

1050

NS

Tvj=125°C

1350

Tvj= 150°C

1500

逆回復エネルギー

eレス

Tvj=25°C

1150

mJ

Tvj=125°C

1900

Tvj= 150°C

2250