位相制御サイリスタ

ほら

シンボル

ほら

特徴

ほら

試験条件

Tj(│C)

価値

ほら

ユニット

ポイント

タイプ

最大

IT(AV)

平均オン状態電流

180│半正弦波 50Hz

両面冷却、TC=70│c について

125

ほら

ほら

600

a について

VDRM VRRM

繰り返しピークオフ状態電圧 繰り返しピーク逆電圧

ほら

tp=10ms

ほら

125

ほら

7300

ほら

ほら

8500

ほら

v について

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

@ VDRM @ VRRM

125

ほら

ほら

200

ママ

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

125

ほら

ほら

9.8

カ

ポイント

融解調整のためのI2t

ほら

ほら

480

A2s*103

VTO

限界電圧

ほら

ほら

125

ほら

ほら

1.04

v について

ロープ

オン状態スロープ抵抗

ほら

ほら

2.33

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM=1000A, F=24kN

25

ほら

ほら

2.95

v について

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

125

ほら

ほら

2000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

VDM= 67%VDRM から 2000Aまで、

ゲートパルス tr ≤0.5μs    IGM＝2.0a

ほら

125

ほら

ほら

ほら

100

ほら

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

ほら

2500

ほら

µC

IGT

ゲートトリガ電流

ほら

ほら

VA=12V, IA=1A

ほら

ほら

25

40

ほら

300

ママ

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

ほら

3.0

v について

IH

ホールディング電流

25

ほら

200

ママ

について

ラッチ電流

ほら

ほら

500

ママ

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=0.67VDRM

125

ほら

ほら

0.3

v について

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

1800サイン波で、両面冷却 クランプ力 24.0kN

ほら

ほら

ほら

0.022

│C /W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

ほら

ほら

ほら

0.005

│C /W

fm

取り付け力

ほら

ほら

19

24

26

kn

Tvj

接合温度

ほら

ほら

-40

ほら

125

│c について

ターゲット・ストーブ

保存温度

ほら

ほら

-40

ほら

140

│c について

wt

体重

ほら

ほら

ほら

560

ほら

g

概要

KT50dT