H50KPU,位相制御サイリスタ

シンボル

特徴

試験条件

Tj(℃ )

価値

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

IT(AV)

平均オン状態電流

180° 半正弦波 50Hz

両面冷却、TC=70 。C

125

600

A について

VDRM VRRM

繰り返しピークオフ状態電圧 繰り返しピーク逆電圧

tp=10ms

125

7300

8500

v

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

@ VDRM @ VRRM

125

200

mA

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

125

9.8

kA

ポイント

融解調整のためのI2t

480

A2s*103

VTO

限界電圧

125

1.04

v

ロープ

オン状態スロープ抵抗

2.33

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM=1000A, F=24kN

25

2.95

v

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

125

2000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

VDM= 67%VDRM から 2000Aまで、

ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM ＝ 2.0A

125

100

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

2500

µC

IGT

ゲートトリガ電流

VA=12V, IA=1A

25

40

300

mA

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

3.0

v

IH

ホールディング電流

25

200

mA

ラング

ラッチ電流

500

mA

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=0.67VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

1800サイン波で、両面冷却 クランプ力 24.0kN

0.022

。C /W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

0.005

。C /W

Fm

取り付け力

19

24

26

KN

Tvj

接合温度

-40

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

-40

140

°C

ワット

重量

560

g

概要

KT50dT