H38KPU-KT33dT、位相制御サイリスタ

IT(AV)

350A

VDRM,VRRM

7500V 8000V

8500V

シンボル

特徴

試験条件

Tj( °C )

価値

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

IT(AV)

平均オン状態電流

180違う 半正弦波 50Hz

両面冷却 TC=70 °C

125

300

A について

VDRM VRRM

繰り返しピークオフ状態電圧 繰り返しピーク逆電圧

tp=10ms

125

7300

8500

v

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

@VDRM @VRRM

125

200

mA

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

125

4.0

kA

ポイント

融解調整のためのI2t

80

A について ²s* 10 ³

VTO

限界電圧

125

2.02

v

ロープ

オン状態スロープ抵抗

2.19

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM=500A,F=15kN

25

3.00

v

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

125

2000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

VDM= 67%VDRM,

ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

100

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR= 100V

125

1500

微分

IGT

ゲートトリガ電流

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

3.0

v

IH

ホールディング電流

20

200

mA

ラング

ラッチ電流

500

mA

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=0.67VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

1800サイン波で、両面冷却 クランプ力15kN

0.045

°C /W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

0.008

°C /W

Fm

取り付け力

10

15

20

KN

Tvj

接合温度

-40

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

-40

140

°C

ワット

重量

300

g

概要

KT33dT