ファストターンオフ

ほら

シンボル

ほら

特徴

ほら

試験条件

Tj(℃) について

価値

ほら

ユニット

ポイント

タイプ

最大

IT(AV)

平均オン状態電流

180違う半正弦波 50Hz 両面冷却、

TC=55°C

125

ほら

ほら

350

a について

VDRM

繰り返しピークオフステート電圧

ほら

tp=10ms

125

4000

ほら

4500

v について

VRRM

繰り返しのピーク逆電圧

125

1000

ほら

3000

v について

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

VDRMおよびVRRMで

125

ほら

ほら

60

ママ

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

ほら

125

ほら

ほら

5.0

カ

ポイント

融解調整のためのI2t

ほら

ほら

125

A2s*103

VTO

限界電圧

ほら

ほら

125

ほら

ほら

1.48

v について

ロープ

オン状態スロープ抵抗

ほら

ほら

2.00

mΩ

ほら

VTM

ピークオン状態電圧

ほら

ITM=1000A, F=15kN

50≤tq≤60

ほら

25

ほら

ほら

3.60

v について

61≤tq≤120

ほら

ほら

2.80

v について

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

125

ほら

ほら

1000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

VDM= 67%VDRM to 1000A,

ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

ほら

ほら

1200

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

ほら

350

ほら

µC

Tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-5A/µs

125

50

ほら

120

µs

IGT

ゲートトリガ電流

ほら

ほら

VA=12V, IA=1A

ほら

ほら

25

40

ほら

250

ママ

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.9

ほら

2.5

v について

IH

ホールディング電流

20

ほら

400

ママ

について

ラッチ電流

ほら

ほら

500

ママ

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

125

ほら

ほら

0.3

v について

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

1800サインで、両面冷却、クランプ力15kN

ほら

ほら

ほら

0.035

ほら

│C /W

Rth(c-h)

熱吸収器の熱抵抗ケース

ほら

ほら

ほら

0.008

fm

取り付け力

ほら

ほら

10

ほら

20

kn

Tvj

接合温度

ほら

ほら

-40

ほら

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

ほら

ほら

-40

ほら

140

°C

wt

体重

ほら

ほら

ほら

250

ほら

g

概要

KT33cT