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H150KPU,位相制御サイリスタ

部品番号 H150KPU-KT140cT

Brand:
テクセム
Spu:
H150KPU-KT140cT
Appurtenance:

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  • はじめに
  • 概要
はじめに

IT(AV)

4200A について

VDRM,VRRM 

7500V

8500V

特徴

  • 中心増幅ゲート
  • セラミック絶縁体付き金属ケース
  • 低いオン状態およびスイッチング損失

典型的な用途

  • A についてCコントローラー
  • DCおよびACモーター制御
  • 制御整流器

 

 

シンボル

 

特徴

 

試験条件

Tj(℃)

価値

 

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

IT(AV)

平均オン状態電流

180°半正弦波 50Hz 両面冷却

TC=70°C

100

 

 

4200

A について

VDRM VRRM

繰り返しピークオフ状態電圧 繰り返しピーク逆電圧

tp=10ms

125

7300

 

8500

v

Idrm Irrm

 

繰り返しピーク電流

VDRMおよびVRRMで

100

 

 

800

mA

@7000V, DC

25

 

 

100

微分数

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

 

100

 

 

100

kA

ポイント

融解調整のためのI2t

 

 

50000

103A2s

VTO

限界電圧

 

 

100

 

 

1.56

v

ロープ

オン状態スロープ抵抗

 

 

0.12

VTM

ピークオン状態電圧

ITM=5000A, F=120kN

25

 

 

2.40

v

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

100

 

 

2000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

VDM= 67%VDRM,

ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM=1.5A

100

 

 

600

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=3000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

100

 

9200

 

µC

IGT

ゲートトリガ電流

 

 

VA=12V, IA=1A

 

 

25

40

 

300

mA

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

 

3.5

v

IH

ホールディング電流

20

 

1000

mA

ラング

ラッチ電流

 

 

1000

mA

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

100

 

 

0.3

v

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

180で正弦波、両面冷却 クランプ力120kN

 

 

 

0.0020

 

C /W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

 

 

 

0.0005

Fm

取り付け力

 

 

165

175

190

KN

Tvj

接合温度

 

 

-40

 

100

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

 

 

-40

 

140

°C

ワット

重量

 

 

 

4000

 

g

概要

KT140cT

 

概要

H150KPU-2.png

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