H150KPU,位相制御サイリスタ

シンボル

特徴

試験条件

Tj(℃ )

価値

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

IT(AV)

平均オン状態電流

180° 半正弦波 50Hz 両面冷却

TC=70 °C

100

4200

A について

VDRM VRRM

繰り返しピークオフ状態電圧 繰り返しピーク逆電圧

tp=10ms

125

7300

8500

v

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

VDRMおよびVRRMで

100

800

mA

@7000V, DC

25

100

微分数

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

100

100

kA

ポイント

融解調整のためのI2t

50000

103A2s

VTO

限界電圧

100

1.56

v

ロープ

オン状態スロープ抵抗

0.12

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM=5000A, F=120kN

25

2.40

v

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

100

2000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

VDM= 67%VDRM,

ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM=1.5A

100

600

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=3000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

100

9200

µC

IGT

ゲートトリガ電流

VA=12V, IA=1A

25

40

300

mA

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

3.5

v

IH

ホールディング電流

20

1000

mA

ラング

ラッチ電流

1000

mA

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

100

0.3

v

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

180で 。正弦波、両面冷却 クランプ力120kN

0.0020

。C /W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

0.0005

Fm

取り付け力

165

175

190

KN

Tvj

接合温度

-40

100

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

-40

140

°C

ワット

重量

4000

g

概要

KT140cT