位相制御サイリスタ

ほら

シンボル

ほら

特徴

ほら

試験条件

Tj(│C)

価値

ほら

ユニット

ポイント

タイプ

最大

ほら

IT(AV)

平均オン状態電流

180│半正弦波 50Hzほら両面冷却

ほら

TC=55│c について

ほら

90

ほら

ほら

ほら

2800

ほら

a について

IDRMほらIRRM

繰り返しピークほら流動

VDRMにてほらtp=ほら10ミリ秒ほらVRRMでほらtp=ほら10ミリ秒

90

ほら

ほら

700

ママ

ITSM

サージオン状態電流

10ミリ秒ほら半正弦波VR=0.6VRRM

ほら

90

ほら

ほら

40

カ

i について2t

i について2融解調整のためのt

ほら

ほら

8000

103a について2s

VTO

限界電圧

ほら

ほら

90

ほら

ほら

0.92

v について

ロープ

オン状態スロープ抵抗

ほら

ほら

0.32

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM=3000A、ほらF=ほら120kN

25

ほら

ほら

1.95

v について

dv/dt

臨界上昇率ほらほらオフ状態の周波数ほら圧力は

VDM=0.67VDRM

90

ほら

ほら

2000

V/μs

di/dt

臨界上昇率e についてほら臨界上昇率ほら流動

VDM=67%VDRM、

ゲートパルス tr ≤0.5μsほらIGM=ほら1.5a

90

ほら

ほら

100

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=2000A、tp=4000μs、di/dt=-5A/μs、VR=50V

90

ほら

6500

ほら

微分

IGT

ゲートトリガ電流

ほら

VA=ほら12V、ほらIA=ほら1a

ほら

25

40

ほら

300

ママ

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

ほら

3.0

v について

i についてh

ホールディング電流

25

ほら

200

ママ

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

90

ほら

ほら

0.3

v について

Rth(j-c)

熱抵抗ほら接合からケースまで

両面冷却

クランプ力ほら120kN

ほら

ほら

ほら

0.004

ほら

│c についてほら/W

Rth(c-h)

熱抵抗ほらケースからほら熱シンク

ほら

ほら

ほら

0.001