H100KPU,位相制御サイリスタ

シンボル

特徴

試験条件

Tj(℃ )

価値

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

IT(AV)

平均オン状態電流

180。半正弦波 50Hz 両面冷却

TC=70 。C

115

2000

A について

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

at VDRM tp= 10ms at VRRM tp= 10ms

115

600

mA

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

115

35

kA

ポイント

融解調整のためのI2t

6125

103A2s

VTO

限界電圧

115

1.32

v

ロープ

オン状態スロープ抵抗

0.52

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM= 1500A、F=90kN

25

2.00

v

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

115

2000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

VDM=67%VDRM、

ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

115

200

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=2000A、tp=4000μs、di/dt=-5A/μs、VR=50V

115

5000

微分

IGT

ゲートトリガ電流

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

3.0

v

IH

ホールディング電流

25

200

mA

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

115

0.3

v

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

双面冷却 固定力 90kN

0.0057

。C /W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

0.0015

Fm

取り付け力

81

90

108

KN

Tvj

接合温度

-40

115

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

-40

140

°C

ワット

重量

2500

g

概要

KT100dT