位相制御サイリスタ

ほら

シンボル

ほら

特徴

ほら

試験条件

Tj(│C)

価値

ほら

ユニット

ポイント

タイプ

最大

ほら

IT(AV)

平均オン状態電流

180│半正弦波 50Hz 両面冷却

ほら

TC=70│c について

ほら

115

ほら

ほら

ほら

2000

ほら

a について

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

VDRMで tp= 10ms、VRRMで tp= 10ms

115

ほら

ほら

600

ママ

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

ほら

115

ほら

ほら

35

カ

ポイント

融解調整のためのI2t

ほら

ほら

6125

103A2s

VTO

限界電圧

ほら

ほら

115

ほら

ほら

1.32

v について

ロープ

オン状態スロープ抵抗

ほら

ほら

0.52

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM= 1500A、F=90kN

25

ほら

ほら

2.00

v について

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

115

ほら

ほら

2000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

VDM=67%VDRM、

ゲートパルス tr ≤0.5μs   IGM= 1.5A

115

ほら

ほら

200

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=2000A、tp=4000μs、di/dt=-5A/μs、VR=50V

115

ほら

5000

ほら

微分

IGT

ゲートトリガ電流

ほら

VA= 12V, IA= 1A

ほら

25

40

ほら

300

ママ

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

ほら

3.0

v について

IH

ホールディング電流

25

ほら

200

ママ

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

115

ほら

ほら

0.3

v について

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

両面冷却    クランプ力 90kN

ほら

ほら

ほら

0.0057

ほら

│C /W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

ほら

ほら

ほら

0.0015

fm

取り付け力

ほら

ほら

81

90

108

kn

Tvj

接合温度

ほら

ほら

-40

ほら

115

│c について

ターゲット・ストーブ

保存温度

ほら

ほら

-40

ほら

140

│c について

wt

体重

ほら

ほら

ほら

2500

ほら

g

概要

KT100dT