H100KFM,非対称高速ターンオフサイリスタ

シンボル

特徴

試験条件

Tj(℃ )

価値

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

IT(AV)

平均オン状態電流

180。半正弦波 50Hz 両面冷却、

TC=55°C

125

4500

A について

TC=70°C

125

3800

A について

VDRM

繰り返しピークオフステート電圧

tp=10ms

125

4000

4500

v

VRRM

繰り返しのピーク逆電圧

125

1000

3000

v

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

VDRMおよびVRRMで

125

500

mA

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

125

50

kA

ポイント

融解調整のためのI2t

12500

103A2s

VTO

限界電圧

125

1.58

v

ロープ

オン状態スロープ抵抗

0.15

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM=5000A, F=70kN 。

60

25

2.60

v

101

25

2.00

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

VDM= 67%VDRM to4000A

ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1200

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

2500

4000

µC

Tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM=2000A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-5A/µs

125

60

100

200

µs

IGT

ゲートトリガ電流

VA= 12V, IA= 1A

25

50

300

mA

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

3.5

v

IH

ホールディング電流

20

1000

mA

ラング

ラッチ電流

1500

mA

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

125

0.25

v

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

両面冷却 クランプ力 40kN

0.005

°C /W

Rth(c-h)

熱吸収器の熱抵抗ケース

0.0015

Fm

取り付け力

81

108

KN

Tvj

接合温度

-40

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

-40

140

°C

ワット

重量

1880

g

概要

KT100cT