ファストターンオフ

ほら

シンボル

ほら

特徴

ほら

試験条件

Tj(℃) について

価値

ほら

ユニット

ポイント

タイプ

最大

IT(AV)

平均オン状態電流

180│半正弦波 50Hz 両面冷却、

TC=55°C

125

ほら

ほら

4500

a について

TC=70°C

125

ほら

ほら

3800

a について

VDRM

繰り返しピークオフステート電圧

tp=10ms

125

4000

ほら

4500

v について

VRRM

繰り返しのピーク逆電圧

125

1000

ほら

3000

v について

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

VDRMおよびVRRMで

125

ほら

ほら

500

ママ

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

ほら

125

ほら

ほら

50

カ

ポイント

融解調整のためのI2t

ほら

ほら

12500

103A2s

VTO

限界電圧

ほら

ほら

125

ほら

ほら

1.58

v について

ロープ

オン状態スロープ抵抗

ほら

ほら

0.15

mΩ

ほら

VTM

ピークオン状態電圧

ほら

ITM=5000A, F=70kN│

60

25

ほら

ほら

2.60

ほら

v について

101

25

ほら

ほら

2.00

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

125

ほら

ほら

1000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

VDM= 67%VDRM to4000A

ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

ほら

ほら

1200

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

ほら

2500

4000

µC

Tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM=2000A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-5A/µs

125

60

100

200

µs

IGT

ゲートトリガ電流

ほら

ほら

VA= 12V, IA= 1A

ほら

ほら

25

50

ほら

300

ママ

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

ほら

3.5

v について

IH

ホールディング電流

20

ほら

1000

ママ

について

ラッチ電流

ほら

ほら

1500

ママ

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

125

ほら

ほら

0.25

v について

Rth(j-c)

熱抵抗   接合からケースまで

両面冷却    クランプ力 40kN

ほら

ほら

ほら

0.005

°C/W

Rth(c-h)

熱抵抗   ケースからヒートシンクまで

ほら

ほら

ほら

0.0015

fm

取り付け力

ほら

ほら

81

ほら

108

kn

Tvj

接合温度

ほら

ほら

-40

ほら

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

ほら

ほら

-40

ほら

140

°C

wt

体重

ほら

ほら

ほら

1880

ほら

g

概要

KT100cT