GD900SGF120A3SN,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1466

900

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

1800

A について

P D

最大電源 消耗 @ T vj =175 O C

5.34

KW

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

900

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

1800

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T vjmax

交差点最大温度

175

O C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =900A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C

2.00

2.45

v

わかった C =900A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について O C

2.50

わかった C =900A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について O C

2.65

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =32.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T vj =25 O C

5.2

6.0

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T vj =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T vj =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.44

Ω

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =900A, r ゲン =1Ω、 r ゲッフ =2Ω Ls=50nH、

v 遺伝子組み換え ＝－10／＋15V, T vj =25 O C

520

NS

T r

昇る時間

127

NS

T 消して

切断する 遅延時間

493

NS

T F

秋の時間

72

NS

e on

オン スイッチング 損失

76.0

mJ

e オフ

切断する 損失

85.0

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =900A, r ゲン =1Ω、 r ゲッフ =2Ω Ls=50nH、

v 遺伝子組み換え ＝－10／＋15V, T vj =125 について O C

580

NS

T r

昇る時間

168

NS

T 消して

切断する 遅延時間

644

NS

T F

秋の時間

89

NS

e on

オン スイッチング 損失

127

mJ

e オフ

切断する 損失

98.5

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =900A, r ゲン =1Ω、 r ゲッフ =2Ω Ls=50nH、

v 遺伝子組み換え ＝－10／＋15V, T vj =150 について O C

629

NS

T r

昇る時間

176

NS

T 消して

切断する 遅延時間

676

NS

T F

秋の時間

96

NS

e on

オン スイッチング 損失

134

mJ

e オフ

切断する 損失

99.0

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5O C

1.95

2.40

v

わかった F =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について O C

2.00

わかった F =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について O C

2.05

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =900A,

-di/dt=7100A/μs、Ls=50nH、 v 遺伝子組み換え ＝－10V,

T vj =25 O C

80

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

486

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

35.0

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =900A,

-di/dt=5180A/μs、Ls=50nH、 v 遺伝子組み換え ＝－10V,

T vj =125 について O C

153

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

510

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

64.0

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =900A,

-di/dt=4990A/μs、Ls=50nH、 v 遺伝子組み換え ＝－10V,

T vj =150 について O C

158

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

513

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

74.0

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

12

nH

r CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.19

mΩ

r thJC

接合 -オー -事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

28.1 44.1

電力量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

9.82 15.4 6.0

電力量

m

端末接続トーク スクロールM4 端末接続トーク スクロール M8 固定トーク 六角ボルトM6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M<br>

g

重量 の モジュール

1050

g