GD820HFA75N6HY

シンボル

説明

バリュー

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

750

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった CN

実装されたコレクター Cu rrent

820

A について

わかった C

コレクタ電流 @ T F =95 O C T vj =175 O C

450

A について

わかった CRM

繰り返す 頂点 収集家 現在 tp 限定された by T バイト

1640

A について

P D

最大電力損失 する @ T F =65 O C T vj =175 O C

909

W について

シンボル

説明

バリュー

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

750

v

わかった FN

実装されたコレクター Cu rrent

820

A について

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

450

A について

わかった FRM

繰り返す 頂点 フォワード 現在 tp 限定された by T バイト

1640

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T vjmax

交差点最大温度

175

O C

T バイト

動作点の温度は連続

-40から+150

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

v

D クリーپ

ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ

7.3 7.3

mm

D 明確

ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ

7.3 4.0

mm

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =680A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C

1.25

1.50

v

わかった C =680A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について O C

1.35

わかった C =680A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =175 O C

1.40

わかった C =820A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C

1.30

わかった C =820A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =175 O C

1.50

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =12.9 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T vj =25 O C

5.5

6.5

7.0

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T vj =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T vj =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗

1.0

Ω

C ies

入力容量

v CE =50V,f=100kHz, v 遺伝子組み換え =0V

72.3

ロープ

C オーエス

輸出容量

1.51

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.32

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v CE =400V, わかった C =680A、 v 遺伝子組み換え =-10…+15V

4.10

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =400V、I C =450A r g =2.4Ω, L s =20 nH ,v 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =25 O C

483

NS

T r

昇る時間

60

NS

T 消して

切断する 遅延時間

664

NS

T F

秋の時間

67

NS

e on

オン スイッチング 損失

16.3

mJ

e オフ

切断する 損失

17.4

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =400V、I C =450A r g =2.4Ω, L s =20 nH ,v 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =150 について O C

507

NS

T r

昇る時間

76

NS

T 消して

切断する 遅延時間

750

NS

T F

秋の時間

125

NS

e on

オン スイッチング 損失

26.3

mJ

e オフ

切断する 損失

22.1

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =400V、I C =450A r g =2.4Ω, L s =20 nH ,v 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =175 O C

509

NS

T r

昇る時間

79

NS

T 消して

切断する 遅延時間

764

NS

T F

秋の時間

139

NS

e on

オン スイッチング 損失

27.6

mJ

e オフ

切断する 損失

23.0

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤3μs, v 遺伝子組み換え =15V

T j =175 O C,V CC =450V、 v 単数 ≤750V

3300

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =680A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5O C

1.60

2.05

v

わかった F =680A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について O C

1.60

わかった F =680A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175 O C

1.55

わかった F =820A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5O C

1.70

わかった F =820A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175 O C

1.65

Q r

回収された電荷

v r =400V、I F =450A

-di/dt=8350A/μs、L s =20n H、 v 遺伝子組み換え =-8V, T vj =25 O C

12.4

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

273

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

3.45

mJ

Q r

回収された電荷

v r =400V、I F =450A

-di／dt=6670A／μs,L s =20n H、 v 遺伝子組み換え =-8V, T vj =150 について O C

27.7

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

319

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

6.51

mJ

Q r

回収された電荷

v r =400V、I F =450A

-di／dt=6410A／μs,L s =20n H、 v 遺伝子組み換え =-8V, T vj =175 O C

31.8

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

334

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

7.26

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r

名義 抵抗

T C =0 O C

T C =150 について O C

1000

1573

Ω Ω

T cr

温度係数 nt

0.38

%/K

T ショ

自己 ヒーティング

T C =0 O C

わかった m =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

5

nH

P

冷却回りの最大圧 キュート

2.5

バー

r thJF

接合 -オー -冷却 流体 (perIGBT )接合部から冷却液まで (per Di オーデ) △ V/ △ t=2.67 L/ ほんの少し ,T F =65 O C

0.105 0.157

0.121 0.181

総量

m

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク スクロール M5

3.6 5.4

4.4 6.6

N.M<br>

g

重量 の モジュール

220

g