IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =100 O C

800

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

1600

A について

P D

最大電源 消耗 @ T vj =175 O C

4687

W について

シンボル

説明

値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

900

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

1800

A について

わかった FSM

サージ前方電流 t P =10ms @ T vj =12 5O C @ T vj =175 O C

2392

2448

A について

わかった 2T

わかった 2t- 価値 ,T P =10 Ms @ T vj =125 について O C @ T vj =175 O C

28608

29964

A について 2s

シンボル

説明

価値

ユニット

T vjmax

交差点最大温度

175

O C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =800A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C

1.40

1.85

v

わかった C =800A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について O C

1.60

わかった C =800A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175 O C

1.60

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =24.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T vj =25 O C

5.5

6.3

7.0

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T vj =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T vj =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.5

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, v 遺伝子組み換え =0V

28.4

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.15

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-15...+15V

2.05

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =800A r g =0.5Ω, L s =40nH, v 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =25 O C

168

NS

T r

昇る時間

78

NS

T 消して

切断する 遅延時間

428

NS

T F

秋の時間

123

NS

e on

オン スイッチング 損失

43.4

mJ

e オフ

切断する 損失

77.0

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =800A

r g =0.5Ω, L s =40nH,

v 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =125 について O C

172

NS

T r

昇る時間

84

NS

T 消して

切断する 遅延時間

502

NS

T F

秋の時間

206

NS

e on

オン スイッチング 損失

86.3

mJ

e オフ

切断する 損失

99.1

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =800A

r g =0.5Ω, L s =40nH,

v 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =175 O C

174

NS

T r

昇る時間

90

NS

T 消して

切断する 遅延時間

531

NS

T F

秋の時間

257

NS

e on

オン スイッチング 損失

99.8

mJ

e オフ

切断する 損失

105

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤8μs, v 遺伝子組み換え =15V

T vj =150 について O C,

v 定電流 =800V v 単数 ≤ 1200V

2600

A について

T P ≤6μs v 遺伝子組み換え =15V

T vj =175 O C,

v 定電流 =800V v 単数 ≤ 1200V

2500

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5O C

1.60

2.00

v

わかった F =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について O C

1.60

わかった F =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175 O C

1.50

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =800A

-di/dt=7778A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, L s =40 nH ,T vj =25 O C

47.7

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

400

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

13.6

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =800A

-di/dt=7017A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, L s =40 nH ,T vj =125 について O C

82.7

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

401

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

26.5

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =800A

-di/dt=6380A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, L s =40 nH ,T vj =175 O C

110

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

413

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

34.8

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の r 100

T C =100 O C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

r 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

r 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

r 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から

3433

K