GD800HFA120C2S_B20,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

臨時ゲート発射電圧

±20 ±30

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C =95 O C

1280

800

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

1600

A について

P D

最大電源 消耗 @ T vj =175 O C

3191

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

v

わかった F

ダイオード連続フォワード電流 エント

800

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

1600

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T vjmax

交差点最大温度

175

O C

T バイト

交差点の動作温度

-40から175

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =800A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C

1.30

1.75

v

わかった C =800A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について O C

1.45

わかった C =800A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について O C

1.50

わかった C =800A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175 O C

1.55

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =32.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T vj =25 O C

5.5

6.1

7.0

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T vj =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T vj =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗

0.38

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, v 遺伝子組み換え =0V

156

ロープ

C res

逆転移転 容量

1.10

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-8...+15V

10.3

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =800A r g =1.2Ω,

v 遺伝子組み換え =-8V/+15V, T vj =25 O C

338

NS

T r

昇る時間

174

NS

T 消して

切断する 遅延時間

1020

NS

T F

秋の時間

100

NS

e on

オン スイッチング 損失

65.2

mJ

e オフ

切断する 損失

88.8

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =800A r g =1.2Ω,

v 遺伝子組み換え =-8V/+15V, T vj =125 について O C

398

NS

T r

昇る時間

203

NS

T 消して

切断する 遅延時間

1140

NS

T F

秋の時間

183

NS

e on

オン スイッチング 損失

96.6

mJ

e オフ

切断する 損失

109

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =800A r g =1.2Ω,

v 遺伝子組み換え =-8V/+15V, T vj =150 について O C

413

NS

T r

昇る時間

213

NS

T 消して

切断する 遅延時間

1140

NS

T F

秋の時間

195

NS

e on

オン スイッチング 損失

105

mJ

e オフ

切断する 損失

113

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =800A r g =1.2Ω,

v 遺伝子組み換え =-8V/+15V, T vj =175 O C

419

NS

T r

昇る時間

223

NS

T 消して

切断する 遅延時間

1142

NS

T F

秋の時間

205

NS

e on

オン スイッチング 損失

110

mJ

e オフ

切断する

損失

115

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤8μs, v 遺伝子組み換え =15V

T vj =150 について O C,V CC =800V v 単数 ≤1200V

3300

A について

わかった SC

SC データ

T P ≤6μs v 遺伝子組み換え =15V

T vj =175 O C,V CC =800V v 単数 ≤1200V

3000

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =800A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

v

わかった F =800A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について O C

1.85

わかった F =800A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について O C

1.85

わかった F =800A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175 O C

1.85

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =800A

-di/dt=5510A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, T vj =25 O C

28.6

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

311

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

13.9

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =800A

-di/dt=4990A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, T vj =125 について O C

56.8

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

378

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

23.7

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =800A

-di/dt=4860A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, T vj =150 について O C

66.3

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

395

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

26.7

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =800A

-di/dt=4790A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, T vj =175 O C

72.1

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

403

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

28.6

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

r CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.42

mΩ

r thJC

接合 -オー -事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.047 0.083

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.031 0.055 0.010

総量

m

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

320

g