GD75PFX170C6SG,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1700

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

139

75

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

150

A について

P D

最大電源 消耗 @ T vj =175 O C

559

W について

シンボル

説明

バリュー

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

v

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

75

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

150

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

2000

v

わかった O

平均出力電流 5 0Hz／60Hz、正弦波

75

A について

わかった FSM

サージ前方電流 t P =10ms @ T vj = 25O C @ T vj =150 について O C

1440

1206

A について

わかった 2T

わかった 2t値,t P =10ms @ T vj =25 O C @ T vj =150 について O C

10368

7272

A について 2s

シンボル

説明

価値

ユニット

T vjmax

最大接合部温度（インバータ） 最大接合部温度（整流器）

175

150

O C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C

1.85

2.20

v

わかった C =75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について O C

2.25

わかった C =75A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について O C

2.35

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =3.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T vj =25 O C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T vj =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗

8.5

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V

9.03

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.22

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

0.71

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =75A, r g =6.8Ω,V 遺伝子組み換え =±15V L s =46 nH ,T vj =25 O C

236

NS

T r

昇る時間

42

NS

T 消して

切断する 遅延時間

356

NS

T F

秋の時間

363

NS

e on

オン スイッチング 損失

17.3

mJ

e オフ

切断する 損失

11.7

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =75A, r g =6.8Ω,V 遺伝子組み換え =±15V L s =46 nH ,T vj =125 について O C

252

NS

T r

昇る時間

48

NS

T 消して

切断する 遅延時間

420

NS

T F

秋の時間

485

NS

e on

オン スイッチング 損失

27.1

mJ

e オフ

切断する 損失

16.6

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =75A, r g =6.8Ω,V 遺伝子組み換え =±15V L s =46 nH ,T vj =150 について O C

275

NS

T r

昇る時間

50

NS

T 消して

切断する 遅延時間

432

NS

T F

秋の時間

524

NS

e on

オン スイッチング 損失

27.9

mJ

e オフ

切断する 損失

17.7

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V

T vj =150 について O C ,v CC =1000V

,

v 単数 ≤1700V

300

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5O C

1.80

2.25

v

わかった F =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =12 5O C

1.90

わかった F =75A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =15 0O C

1.95

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =75A,

-di/dt=1290A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L s =46 nH ,T vj =25 O C

10.3

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

84

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

7.44

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =75A,

-di／dt=1100A／μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V L s =46 nH ,T vj =125 について O C

20.5

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

87

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

16.1

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =75A,

-di／dt=1060A／μs,V 遺伝子組み換え =15V L s =46 nH ,T vj =150 について O C

22.5

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

97

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

19.2

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった C =75A, T vj =150 について O C

0.95

v

わかった r

逆電流

T vj =150 について O C ,v r =2000V

3.0

mA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の r 100

T C =100 O C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

r 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

r 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

r 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r thJC

接合 -オー -事例 (perIGBT -インバーター ) 接合部-ケース (ダイオードインバータごと ） 接合部からケースまで（ダイオードごと） 整流用

0.268 0.481 0.289

総量

r thCH

事例 -オー -熱シンク (perIGBT -インバーター )ケースからヒートシンクまで（ダイオードごと） インバータ用 ケースからヒートシンクまで（ダイオードごと） 整流用 ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.106 0.190 0.114 0.009

総量

m

固定トーク ネジ:M5

3.0

6.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

300

g