IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C

@ T C =70 O C

830

600

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

1200

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =150 について O C

4032

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

600

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

1200

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

150

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+125

O C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

2500

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

2.90

3.35

v

わかった C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

3.60

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =6.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.0

5.8

6.6

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.25

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

39.0

ロープ

C res

逆転移転

容量

2.55

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

6.30

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =600A r g = 1. 1Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

205

NS

T r

昇る時間

50

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

265

NS

T F

秋の時間

140

NS

e on

オン スイッチング

損失

50.4

mJ

e オフ

切断する

損失

20.0

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =600A r g = 1. 1Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V T j = 125O C

210

NS

T r

昇る時間

55

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

275

NS

T F

秋の時間

175

NS

e on

オン スイッチング

損失

66.0

mJ

e オフ

切断する

損失

28.9

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =125 について O C,V 定電流 =900V v 単数 ≤1200V

3900

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

2.25

2.70

v

わかった F =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125O C

2.35

Q r

回収された電荷

v 定電流 =600V,I F =600A

-di/dt= について 12kA/μs,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

42.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

492

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

16.6

mJ

Q r

回収された電荷

v 定電流 =600V,I F =600A

-di/dt= について 12kA/μs,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125O C

80.4

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

672

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

37.9

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

r CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.18

mΩ

r thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

交差点 (Dあたり) ヨード)

0.031

0.070

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.051

0.114

0.035

総量

m

端末接続トーク スクロールM4 端子接続 トルク、 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

300

g