IGBTモジュール 1700V

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1700

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

収集家 現在 @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1069

600

A について

わかった cm

パルス 収集家 現在 T P =1 Ms

1200

A について

P D

最大 電力 散熱 @ T j =175 O C

4166

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1700

v

わかった F

ダイオード 連続前流

600

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

1200

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度 温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40 オー +150

O C

T STG

保管温度範囲

-40 オー +125

O C

v ISO

分離 圧力は RMS f=50 について Hz ポイントは ほんの少し

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v CE (衛星 )

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =600A v 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.85

2.20

v

わかった C =600A v 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

2.25

わかった C =600A v 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

2.35

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C = 12.0mA ,v CE = v 遺伝子組み換え ,T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

わかった CES

収集器の切断

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V

T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗

1.1

Ω

C ies

入力容量

v CE =25V,f=1 MHz ,

v 遺伝子組み換え =0V

72.3

ロープ

C res

逆転移転

容量

1.75

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

5.66

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =900V わかった C =600A r g = 1.0Ω, v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

160

NS

T r

昇る時間

67

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

527

NS

T F

秋の時間

138

NS

e on

オン スイッチング

損失

154

mJ

e オフ

切断する

損失

132

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =900V わかった C =600A r g = 1.0Ω, v 遺伝子組み換え =±15V T j = 125O C

168

NS

T r

昇る時間

80

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

585

NS

T F

秋の時間

168

NS

e on

オン スイッチング

損失

236

mJ

e オフ

切断する

損失

189

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =900V わかった C =600A r g = 1.0Ω, v 遺伝子組み換え =±15V T j = 150O C

192

NS

T r

昇る時間

80

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

624

NS

T F

秋の時間

198

NS

e on

オン スイッチング

損失

259

mJ

e オフ

切断する

損失

195

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C ,v 定電流 = 1000V, v 単数 ≤1700V

2400

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =600A v 遺伝子組み換え =0V T j =25 O C

1.80

2.25

v

わかった F =600A v 遺伝子組み換え =0V T j = 125O C

1.90

わかった F =600A v 遺伝子組み換え =0V T j = 150O C

1.95

Q r

回収された電荷

v r =900V わかった F =600A

-ディ /dt =6700A/μs, v 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 O C

153

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

592

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

76.5

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V わかった F =600A

-ディ /dt =6700A/μs, v 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =125 について O C

275

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

673

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

150

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V わかった F =600A

-ディ /dt =6700A/μs, v 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =150 について O C

299

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

690

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

173

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r 25

定数抵抗

5.0

kΩ

ΔR/R

偏差 の r 100

T C = 100 O C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B- 価値

r 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2-

半角形から

3375

K

B について 25/80

B- 価値

r 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2-

半角形から

3411

K

B について 25/100

B- 価値

r 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2-

半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

r 定電流 + ロープ ’

モジュール鉛抵抗,ターミナル チップに

1.10

mΩ

r thJC

接合 -オー -場合 (平均 IGBT )

接合 -オー -場合 (平均 ダイオード )

0.036

0.073

総量

r thCH

場合 -オー -熱シンク (平均 IGBT )

場合 -オー -熱シンク (平均 ダイオード )

ケースからヒートシンクへの接続 (モジュールごと)

0.027

0.055

0.009

総量

m

端末接続トーク ネジ M6 マウント 扭力 , ネジ m 5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M<br>

g

重さ モジュール

350

g