GD600HFX120C6HA,IGBT モジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1108

600

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

1200

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 O C

4054

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

600

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

1200

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.70

2.15

v

わかった C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

1.90

わかった C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

1.95

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =24.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗

0.7

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V

62.1

ロープ

C res

逆転移転 容量

1.74

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-15...+15V

4.62

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =600A r g =1.2Ω, L s =34 nH , v 遺伝子組み換え =±15V,T j =25 O C

266

NS

T r

昇る時間

82

NS

T 消して

切断する 遅延時間

400

NS

T F

秋の時間

192

NS

e on

オン スイッチング 損失

65.7

mJ

e オフ

切断する 損失

52.3

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =600A r g =1.2Ω, L s =34 nH , v 遺伝子組み換え =±15V,T j =125 について O C

282

NS

T r

昇る時間

94

NS

T 消して

切断する 遅延時間

448

NS

T F

秋の時間

290

NS

e on

オン スイッチング 損失

96.2

mJ

e オフ

切断する 損失

67.3

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =600A r g =1.2Ω, L s =34 nH , v 遺伝子組み換え =±15V,T j =150 について O C

286

NS

T r

昇る時間

94

NS

T 消して

切断する 遅延時間

459

NS

T F

秋の時間

299

NS

e on

オン スイッチング 損失

107

mJ

e オフ

切断する 損失

70.3

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V CC =800V v 単数 ≤1200V

2400

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

v

わかった F =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25O C

2.05

わかった F =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50O C

2.10

Q r

回収された電荷

v CC =600V,I F =600A

-di／dt=5500A／μs, L s =34nH, v 遺伝子組み換え =-15V,T j =25 O C

23.8

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

260

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

11.7

mJ

Q r

回収された電荷

v CC =600V,I F =600A

-di／dt=4700A／μs, L s =34nH, v 遺伝子組み換え =-15V,T j =125 について O C

65.1

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

293

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

26.4

mJ

Q r

回収された電荷

v CC =600V,I F =600A

-di／dt=4600A／μs, L s =34nH, v 遺伝子組み換え =-15V,T j =150 について O C

76.7

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

306

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

30.6

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の r 100

T C =100 O C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

r 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

r 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

r 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r thJC

接合 -オー -事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.037 0.065

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.028 0.050 0.009

総量

m

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

350

g