GD600HFX120C2SA 、IGBT モジュール、STARPOWER

紹介

簡単な紹介

IGBT モジュール ,製造元ストアパワー . 1200V 600A. 本当

特徴

低VCE(sat)トレンチIGBT技術
10μs短回路能力
陽性温度係数を持つ VCE (sat)
最大接合温度 175oC
低感受性ケース
速くて柔らかい逆回復対称性のないFWD
HPS DBC技術を使用した絶縁銅ベースプレート

典型的な用途

モータードライブ用インバータ
ACおよびDCサーボドライブアンプ
無停電電源装置

絶対値 最大 レーティング T F =25 O C しない限り違うなら記載

IGBT

シンボル	説明	価値	ユニット
v CES	集合器-放出器の電圧	1200	v
v 総エネルギー	ゲート・エミッター・ボルト臨時ゲート発射電圧	±20 ±30	v
わかった C	コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C =100 O C	925 600	A について
わかった cm	パルスコレクター電流 t P =1ms	1200	A について
P D	最大電源消耗 @ T j =175 O C	3000	W について

ダイオード

シンボル	説明	価値	ユニット
v RRM	繰り返しのピークリバース・ボルト年齢	1200	v
わかった F	ダイオード連続前向きCu rrent	600	A について
わかった Fm	ダイオード最大順方向電流 t P =1ms	1200	A について

モジュール

シンボル	説明	価値	ユニット
T jmax	交差点最大温度	175	O C
T ショウジョウ	交差点の動作温度	-40から+150	O C
T STG	保管温度範囲	-40から+125	O C
v ISO	絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前	4000	v

IGBT 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
v 衛星	収集機から発信機へ飽和電圧	わかった C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C		1.65	2.00	v
		わかった C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C		1.95
		わかった C =600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C		2.00
v 遺伝子組み換え (TH )	ゲート発信者の限界値圧力は	わかった C =24.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C	5.6	6.2	6.8	v
わかった CES	収集家カット -オフ現在	v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 O C			1.0	mA
わかった総エネルギー	ゲート発射器の漏れ現在	v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C			400	NA
r ゲント	内部ゲート抵抗			1.25		Ω
C ies	入力容量	v CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, v 遺伝子組み換え =0V		60.8		ロープ
C res	逆転移転容量	v CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, v 遺伝子組み換え =0V		1.84		ロープ
Q g	ゲートチャージ	v 遺伝子組み換え =-15...+15V		4.64		微分
T D (on )	オンする遅延時間	v CC =600V,I C =600A r g =1.2Ω, L s =34 nH , v 遺伝子組み換え =±15V,T j =25 O C		339		NS
T r	昇る時間			95		NS
T 消して	切断する遅延時間			468		NS
T F	秋の時間			168		NS
e on	オンスイッチング損失			63.7		mJ
e オフ	切断する損失			56.4		mJ
T D (on )	オンする遅延時間	v CC =600V,I C =600A r g =1.2Ω, L s =34 nH , v 遺伝子組み換え =±15V,T j =125 について O C		418		NS
T r	昇る時間			135		NS
T 消して	切断する遅延時間			567		NS
T F	秋の時間			269		NS
e on	オンスイッチング損失			108		mJ
e オフ	切断する損失			72.3		mJ
T D (on )	オンする遅延時間	v CC =600V,I C =600A r g =1.2Ω, L s =34 nH , v 遺伝子組み換え =±15V,T j =150 について O C		446		NS
T r	昇る時間			151		NS
T 消して	切断する遅延時間			602		NS
T F	秋の時間			281		NS
e on	オンスイッチング損失			123		mJ
e オフ	切断する損失			78.2		mJ
わかった SC	SC データ	T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C,V CC =800V v 単数 ≤1200V		2400		A について

ダイオード 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
v F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	v
		わかった F =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25O C		1.90
		わかった F =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50O C		1.95
Q r	回収された電荷	v CC =600V,I F =600A -di/dt=5210A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L s =34 nH ,T j =25 O C		49.3		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			300		A について
e レス	逆転回復エネルギー			24.1		mJ
Q r	回収された電荷	v CC =600V,I F =600A -di/dt=3490A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L s =34 nH ,T j =125 について O C		85.2		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			314		A について
e レス	逆転回復エネルギー			33.8		mJ
Q r	回収された電荷	v CC =600V,I F =600A -di/dt=3080A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L s =34 nH ,T j =150 について O C		102		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			318		A について
e レス	逆転回復エネルギー			36.8		mJ

モジュール 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	分。	タイプする	マックス。	ユニット
L CE	流れる誘導力			20	nH
r CC+EE	モジュールリード抵抗,端末からチップ		0.35		mΩ
r thJC	接合 -オー -事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)			0.050 0.080	総量
r thCH	ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)		0.033 0.052 0.010		総量
m	端末接続トーク六角ボルトM6 固定トーク六角ボルトM6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M<br>
g	重量のモジュール		300		g