GD450HFX120N6HY ,IGBT モジュール,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった CN

実装されたコレクター Cu rrent

450

A について

わかった C

コレクタ電流 @ T F =100 O C

300

A について

わかった CRM

繰り返す 頂点 収集家 現在 tp 限定された by T バイト

900

A について

P D

最大電力損失 する @ T F =65 O C T vj =175 O C

1208

W について

シンボル

説明

バリュー

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧 遺伝子組み換え

1200

v

わかった FN

実装されたコレクター Cu rrent

450

A について

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

300

A について

わかった FRM

繰り返す 頂点 フォワード 現在 tp 限定された by T バイト

900

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T vjmax

交差点最大温度

175

O C

T バイト

動作点の温度は連続

-40から+150

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

v

D クリーپ

ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ

7.3 7.3

mm

D 明確

ターミナルからヒートシンクへ ターミナルからターミナルへ

7.3 4.0

mm

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C

1.25

1.70

v

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について O C

1.35

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175 O C

1.40

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C

1.40

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について O C

1.65

わかった C =450A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =175 O C

1.70

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =15.6 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T vj =25 O C

5.8

6.4

7.0

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T vj =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T vj =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗

1.67

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, v 遺伝子組み換え =0V

81.2

ロープ

C オーエス

輸出容量

1.56

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.53

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v CE =600V,I C =450A、V 遺伝子組み換え =-8...+15V

5.31

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =450A r g =1.5Ω L s =20 nH ,v 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =25 O C

361

NS

T r

昇る時間

63

NS

T 消して

切断する 遅延時間

729

NS

T F

秋の時間

150

NS

e on

オン スイッチング 損失

57.8

mJ

e オフ

切断する 損失

34.7

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =450A r g =1.5Ω L s =20 nH ,v 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =150 について O C

406

NS

T r

昇る時間

81

NS

T 消して

切断する 遅延時間

825

NS

T F

秋の時間

235

NS

e on

オン スイッチング 損失

80.6

mJ

e オフ

切断する 損失

45.9

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =450A r g =1.5Ω L s =20 nH ,v 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T vj =175 O C

420

NS

T r

昇る時間

84

NS

T 消して

切断する 遅延時間

844

NS

T F

秋の時間

241

NS

e on

オン スイッチング 損失

88.9

mJ

e オフ

切断する 損失

47.5

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤6μs v g

e =15V

1800

A について

T vj =175 O C,V CC =800V v 単数 ≤1200V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5O C

1.60

v

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について O C

1.50

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175 O C

1.45

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5O C

1.80

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について O C

1.75

わかった F =450A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =175 O C

1.70

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =450A

-di/dt=7460A/μs、V 遺伝子組み換え =-8V, L s =20 nH ,T vj =25 O C

19.3

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

294

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

8.32

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =450A

-di/dt=5610A/μs、V 遺伝子組み換え =-8V, L s =20 nH ,T vj =150 について O C

49.9

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

308

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

14.1

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =450A

-di/dt=5250A/μs、V 遺伝子組み換え =-8V, L s =20 nH ,T vj =175 O C

56.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

311

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

15.6

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r

名義 抵抗

T C =0 O C

T C =150 について O C

1000

1573

Ω Ω

T cr

温度係数 nt

0.38

%/K

T ショ

自己 ヒーティング

T C =0 O C

わかった m =0.1...0.3mA

0.4

K/mW

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

5

nH

P

冷却回りの最大圧 キュート

2.5

バー

r thJF

接合 -オー -冷却 流体 (perIGBT )結合冷却液 (Dあたり) ヨード) △ V/ △ t=2.67 L/ ほんの少し ,T F =65 O C

0.083 0.105

0.095 0.121

総量

m

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク スクロール M5

3.6 5.4

4.4 6.6

N.M<br>

g

重量 の モジュール

220

g