GD400HTX120P4S、IGBTモジュール、STARPOWER

紹介

簡単な紹介

IGBT モジュール ,製造元ストアパワー . 1200V 400A. 本当

特徴

低VCE(sat)トレンチIGBT技術
低スイッチング損失
10μs短回路能力
陽性温度係数を持つ VCE (sat)
最大接合温度 175 °C
低感受性ケース
速くて柔らかい逆回復対称性のないFWD
DBC技術を使用した絶縁銅ピンフィンベースプレート

典型的な用途

ハイブリッドおよび電気自動車
モータードライブ用インバータ
無停電電源装置

絶対値 最大 レーティング T F =25 O C しない限り違うなら記載

わかった 英国

シンボル	説明	価値	ユニット
v CES	集合器-放出器の電圧	1200	v
v 総エネルギー	ゲート・エミッター・ボルト	±20	v
わかった CN	実装されたコレクター Cu rrent	400	A について
わかった C	コレクタ電流 @ T F =25 O C @ T F =75 O C	400 300	A について
わかった cm	パルスコレクター電流 t P =1ms	800	A について
P D	最大電源消耗 @ T j =175 O C	1500	W について

ダイオード

シンボル	説明	価値	ユニット
v RRM	繰り返しのピークリバース・ボルト年齢	1200	v
わかった FN	フォワードCuを実装 rrent	400	A について
わかった F	ダイオード連続前向きCu rrent	300	A について
わかった Fm	ダイオード最大順方向電流 t P =1ms	800	A について

モジュール

シンボル	説明	価値	ユニット
T jmax	交差点最大温度	175	O C
T ショウジョウ	交差点の動作温度	-40から+150	O C
T STG	保管温度範囲	-40から+125	O C
v ISO	絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分	2500	v

IGBT 特徴 T F =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
v 衛星	収集機から発信機へ飽和電圧	わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C		1.50	1.95	v
		わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C		1.60
		わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C		1.65
v 遺伝子組み換え (TH )	ゲート発信者の限界値圧力は	わかった C =16.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C	5.3	5.8	6.3	v
わかった CES	収集家カット -オフ現在	v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 O C			1.0	mA
わかった総エネルギー	ゲート発射器の漏れ現在	v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C			400	NA
r ゲント	内部ゲート抵抗			0.5		Ω
C ies	入力容量	v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V		41.4		ロープ
C res	逆転移転容量	v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V		1.16		ロープ
Q g	ゲートチャージ	v 遺伝子組み換え =15V		3.11		微分
T D (on )	オンする遅延時間	v CC =500V、I C =300A r g =1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C		171		NS
T r	昇る時間			54		NS
T 消して	切断する遅延時間			433		NS
T F	秋の時間			41		NS
e on	オンスイッチング損失			18.2		mJ
e オフ	切断する損失			13.4		mJ
T D (on )	オンする遅延時間	v CC =500V、I C =300A r g =1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について O C		193		NS
T r	昇る時間			54		NS
T 消して	切断する遅延時間			546		NS
T F	秋の時間			93		NS
e on	オンスイッチング損失			25.7		mJ
e オフ	切断する損失			26.8		mJ
T D (on )	オンする遅延時間	v CC =500V、I C =300A r g =1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =150 について O C		203		NS
T r	昇る時間			64		NS
T 消して	切断する遅延時間			628		NS
T F	秋の時間			93		NS
e on	オンスイッチング損失			27.8		mJ
e オフ	切断する損失			30.9		mJ
わかった SC	SC データ	T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C,V CC =900V v 単数 ≤1200V		1600		A について

ダイオード 特徴 T F =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
v F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C		1.55	1.80	v
		わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25O C		1.50
		わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50O C		1.45
Q r	回収された電荷	v r =500V、I F =300A -di/dt=3150A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C		25.7		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			229		A について
e レス	逆転回復エネルギー			6.7		mJ
Q r	回収された電荷	v r =500V、I F =300A -di/dt=3150A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C		49.0		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			380		A について
e レス	逆転回復エネルギー			17.1		mJ
Q r	回収された電荷	v r =500V、I F =300A -di/dt=3150A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C		57.0		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			380		A について
e レス	逆転回復エネルギー			20.0		mJ

NTC 特徴 T F =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
r 25	定数抵抗			5.0		kΩ
∆R/R	偏差の r 100	T C =100 O C ロープ 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	電力散熱				20.0	mW
B について 25/50	B値	r 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から		3375		K
B について 25/80	B値	r 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から		3411		K
B について 25/100	B値	r 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から		3433		K

モジュール 特徴 T F =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	分。	タイプする	マックス。	ユニット
△ P	圧縮降冷却回数キュート △ V/ △ t=10.0 DM 3/ほんの少し ;T F =25 O C ;冷却液体=50% 水/50% エチレングリコール		100		mbar
P	冷却回りの最大圧キュート			2.5	バー
L CE	流れる誘導力		14		nH
r CC+EE	モジュール鉛抵抗ターミナルからチップへ		0.80		mΩ
r thJF	接合 -オー -冷却流体 (perIGBT ) 接合部から冷却液まで (per Di オーデ)			0.100 0.125	総量
m	端末接続トーク六角ボルトM6 固定トーク六角ボルトM6	2.5 3.0		5.0 6.0	N.M<br>
g	重量のモジュール		1250		g