IGBTモジュール 1700V

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1700

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

648

400

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

800

A について

P D

最大電力損失 T =175 O C

2380

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1700

v

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

400

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

800

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.85

2.20

v

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

2.25

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

2.35

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C = 16.0mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.88

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

48.2

ロープ

C res

逆転移転

容量

1.17

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =- やってる 15V+15V

3.77

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =900V,I C =400A, r g =0.82Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

204

NS

T r

昇る時間

38

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

425

NS

T F

秋の時間

113

NS

e on

オン スイッチング

損失

97.9

mJ

e オフ

切断する

損失

84.0

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =900V,I C =400A, r g =0.82Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について O C

208

NS

T r

昇る時間

50

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

528

NS

T F

秋の時間

184

NS

e on

オン スイッチング

損失

141

mJ

e オフ

切断する

損失

132

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =900V,I C =400A, r g =0.82Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =150 について O C

216

NS

T r

昇る時間

50

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

544

NS

T F

秋の時間

204

NS

e on

オン スイッチング

損失

161

mJ

e オフ

切断する

損失

137

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V 定電流 = 100V, v 単数 ≤1700V

1600

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

v

わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125 について O C

1.90

わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150 について O C

1.95

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 O C

116

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

666

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

63.8

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =125 について O C

187

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

662

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

114

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =150 について O C

209

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

640

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

132

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

r CC+EE

モジュールリードレジスタ ターミナルからチップへ

0.35

mΩ

r thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.063

0.105

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.032

0.053

0.010

総量

m

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

300

g