GD400CLX120C2S,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

636

400

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

800

A について

P D

最大電源 消耗 @ T vj =175 O C

2083

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

400

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

800

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T vjmax

交差点最大温度

175

O C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

2500

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C

1.75

2.20

v

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について O C

2.00

わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について O C

2.05

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =14.4 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T vj =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T vj =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.5

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V

37.3

ロープ

C res

逆転移転 容量

1.04

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

2.80

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =400A, r g =2.0Ω, L s =50nH , v 遺伝子組み換え =±15V, T vj =25 O C

223

NS

T r

昇る時間

49

NS

T 消して

切断する 遅延時間

334

NS

T F

秋の時間

190

NS

e on

オン スイッチング 損失

17.9

mJ

e オフ

切断する 損失

28.7

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =400A, r g =2.0Ω, L s =50nH , v 遺伝子組み換え =±15V, T vj =125 について O C

230

NS

T r

昇る時間

54

NS

T 消して

切断する 遅延時間

385

NS

T F

秋の時間

300

NS

e on

オン スイッチング 損失

29.4

mJ

e オフ

切断する 損失

41.2

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =400A, r g =2.0Ω, L s =50nH , v 遺伝子組み換え =±15V, T vj =150 について O C

228

NS

T r

昇る時間

57

NS

T 消して

切断する 遅延時間

393

NS

T F

秋の時間

315

NS

e on

オン スイッチング 損失

32.3

mJ

e オフ

切断する 損失

42.9

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V

T vj =150 について O C,V CC =800V v 単数 ≤1200V

1600

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

v

わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について O C

1.90

わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について O C

1.95

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =400A,

-di/dt=8030A/μs, L s =50nH, V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C

33.6

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

374

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

13.6

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =400A,

-di/dt=7030A/μs, L s =50nH, V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について O C

67.5

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

446

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

28.2

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =400A,

-di／dt=6880A／μs, L s =50nH, V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について O C

75.5

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

452

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

31.4

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

r CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.35

mΩ

r thJC

接合 -オー -事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.072 0.113

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.023 0.036 0.010

総量

m

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

300

g