GD400CLU120C2SD、IGBTモジュール、STARPOWER

紹介

簡単な紹介

IGBT モジュール ,製造元ストアパワー . 1200V 400A. 本当

特徴

NPT IGBT テクノロジー
10μs短回路能力
低スイッチング損失
陽性温度係数を持つ VCE (sat)
低感受性ケース
速くて柔らかい逆回復対称性のないFWD
DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的な用途

切り替えモード電源
感電式加熱
電子溶接機

絶対値 最大 レーティング T F =25 O C しない限り違うなら記載

IGBT

シンボル	説明	価値	ユニット
v CES	集合器-放出器の電圧	1200	v
v 総エネルギー	ゲート・エミッター・ボルト	±20	v
わかった C	コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C =60 O C	519 400	A について
わかった cm	パルスコレクター電流 t P =1ms	800	A について
P D	最大電源消耗 @ T vj =150 について O C	2450	W について

ダイオード

シンボル	説明	価値	ユニット
v RRM	繰り返しのピークリバース・ボルト年齢	1200	v
わかった F	ダイオード連続前向きCu rrent	400	A について
わかった Fm	ダイオード最大順方向電流 t P =1ms	800	A について

モジュール

シンボル	説明	価値	ユニット
T vjmax	交差点最大温度	150	O C
T バイト	交差点の動作温度	-40から+125	O C
T STG	保管温度範囲	-40から+125	O C
v ISO	絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分	2500	v

IGBT 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
v 衛星	収集機から発信機へ飽和電圧	わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C		2.90	3.35	v
v 衛星	収集機から発信機へ飽和電圧	わかった C =400A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について O C		3.60		v
v 遺伝子組み換え (TH )	ゲート発信者の限界値圧力は	わかった C =16.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T vj =25 O C	4.5	5.5	6.5	v
わかった CES	収集家カット -オフ現在	v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T vj =25 O C			5.0	mA
わかった総エネルギー	ゲート発射器の漏れ現在	v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T vj =25 O C			400	NA
r ゲント	内部ゲート抵抗アンス			0.6		Ω
C ies	入力容量	v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V		26.0		ロープ
C res	逆転移転容量	v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V		1.70		ロープ
Q g	ゲートチャージ	v 遺伝子組み換え =-15...+15V		4.2		微分
T D (on )	オンする遅延時間	v CC =600V,I C =400A, r g =2.2Ω L s =30 nH , v 遺伝子組み換え =±15V,T vj =25 O C		252		NS
T r	昇る時間			63		NS
T 消して	切断する遅延時間			427		NS
T F	秋の時間			44		NS
e on	オンスイッチング損失			24.7		mJ
e オフ	切断する損失			16.5		mJ
T D (on )	オンする遅延時間	v CC =600V,I C =400A, r g =2.2Ω L s =30 nH , v 遺伝子組み換え =±15V,T vj =125 について O C		258		NS
T r	昇る時間			65		NS
T 消して	切断する遅延時間			465		NS
T F	秋の時間			57		NS
e on	オンスイッチング損失			35.2		mJ
e オフ	切断する損失			22.6		mJ
わかった SC	SC データ	T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について O C,V CC =800V v 単数 ≤1200V		1600		A について

ダイオード 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
v F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5O C		1.85	2.30	v
v F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =400A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について O C		1.90		v
Q r	回収された電荷	v r =600V,I F =400A, -di/dt=6540A/μs, L s =30nH, V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C		38.9		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			401		A について
e レス	逆転回復エネルギー			13.8		mJ
Q r	回収された電荷	v r =600V,I F =400A, -di/dt=6300A/μs, L s =30nH, V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について O C		68.0		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			444		A について
e レス	逆転回復エネルギー			26.2		mJ

モジュール 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	分。	タイプする	マックス。	ユニット
L CE	流れる誘導力			30	nH
r CC+EE	モジュール鉛抵抗ターミナルからチップへ		0.35		mΩ
r thJC	接合 -オー -事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)			0.051 0.114	総量
r thCH	ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)		0.019 0.042 0.010		総量
m	端末接続トークスクロール M5 固定トーク六角ボルトM6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M<br>
g	重量のモジュール		300		g