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簡潔な紹介
IGBT モジュール 、STARPOWERによって製造されました。1200V 3600A。
特徴
典型的な用途
絶対値 最大 レーティング T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | 説明 | GD3600SGT120C4S | ユニット |
v CES | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v |
v 総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ± 20 | v |
わかった C | @ T C =25 °C @ T C =80 について °C | 4800 | A について |
3600 | |||
わかった cm (1) | パルスコレクター電流 t P = 1ミリ秒 | 7200 | A について |
わかった F | ダイオード 連続前流 | 3600 | A について |
わかった Fm | ダイオード 最大前向き回転 賃貸 | 7200 | A について |
P D | 最大電源 消耗 @ T j =17 5°C | 16.7 | KW |
T jmax | 交差点最大温度 | 175 | °C |
T STG | 保管温度範囲 | -40から+125 | °C |
v ISO | 隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分 | 2500 | v |
マウント | 信号ターミナル スクリュー:M4 | 平均 2.1 |
|
電力端末スクリュー:M8 | 平均値 10 | N.M<br> | |
扭力 | マウント スクリュー:M6 | 4.25から 5.75 |
|
電気 特徴 の IGBT T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
特徴から外れている
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v (BR )CES | 収集-発信 突入電圧 | T j =25 °C | 1200 |
|
| v |
わかった CES | 収集家 カット -オフ 現在 | v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C |
|
| 5.0 | mA |
わかった 総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 現在 | v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C |
|
| 400 | NA |
特徴について
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v 遺伝子組み換え (TH ) | ゲート発信者の限界値 圧力は | わかった C =145 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え ,T j =25 °C | 5.0 | 5.8 | 6.5 | v |
v 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 | わかった C =3600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C |
| 1.70 | 2.15 |
v |
わかった C =3600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C |
| 2.00 | 2.45 |
変形する特性
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
Q g | ゲートチャージ | v 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V |
| 35.0 |
| 微分 |
r ゲント | 内部ゲートレジスタ | T j =25 °C |
| 0.5 |
| Ω |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =3600A r ゲン =0.8Ω, r ゲッフ =0.2Ω, v 遺伝子組み換え = ± 15V,T j =25 °C |
| 600 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 235 |
| NS | |
T 消して | 切断する 遅延時間 |
| 825 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 145 |
| NS | |
e on | オン 切り替え損失 |
| / |
| mJ | |
e オフ | 切断切換損失 |
| / |
| mJ | |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =3600A r ゲン =0.8Ω, r ゲッフ =0.2Ω, v 遺伝子組み換え = ± 15V,T j =125 について °C |
| 665 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 215 |
| NS | |
T 消して | 切断する 遅延時間 |
| 970 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 180 |
| NS | |
e on | オン 切り替え損失 |
| 736 |
| mJ | |
e オフ | 切断切換損失 |
| 569 |
| mJ | |
C ies | 入力容量 |
v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V |
| 258 |
| ロープ |
C オーエス | 輸出容量 |
| 13.5 |
| ロープ | |
C res | 逆転移転 容量 |
| 11.7 |
| ロープ | |
わかった SC |
SC データ | T s C ≤ 10μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C バイト 定電流 =900V v 単数 ≤ 1200V |
|
14000 |
|
A について |
L CE | 流れる誘導力 |
|
| 10 |
| nH |
r 定電流 + ロープ ’ | モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ |
|
| 0.12 |
| m Ω |
電気 特徴 の ダイオード T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット | |
v F | ダイオード 前向き 圧力は | わかった F =3600A | T j =25 °C |
| 1.65 | 2.15 | v |
T j =125 について °C |
| 1.65 | 2.15 | ||||
Q r | 回収された電荷 |
わかった F =3600A v r =600V r ゲン =0.8Ω, v 遺伝子組み換え =- やってる 15V | T j =25 °C |
| 360 |
| 微分 |
T j =125 について °C |
| 670 |
| ||||
わかった ロープ | 逆転回復 現在 | T j =25 °C |
| 2500 |
| A について | |
T j =125 について °C |
| 3200 |
| ||||
e レス | 逆転回復 エネルギー | T j =25 °C |
| 97 |
| mJ | |
T j =125 について °C |
| 180 |
| ||||
熱特性 ティックス
シンボル | パラメータ | タイプする | マックス。 | ユニット |
r θ JC さん | ケース対ケース (IGBごとに) T) について |
| 9.0 | 電力量 |
r θ JC さん | 接合部からケースまで（ダイオードごとに de) について |
| 15.6 | 電力量 |
r θ CS | ケースからシンク （導電性グリース適用、Mごとに 臭い) | 4 |
| 電力量 |
重量 | 重量 の モジュール | 2250 |
| g |
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