GD300HFX170C6S、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C = 100o C

493

300

A について

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

600

A について

P D

最大電源 消耗 @ T =175 o C

1829

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1700

V

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

300

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

600

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

4000

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.85

2.20

V

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C

2.25

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

2.35

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C = 電気回路 CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 o C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

2.5

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

36.1

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.88

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

2.83

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =300A R ゲン =3.3Ω

R ゲッフ =4.7Ω V 遺伝子組み換え =±15V

T j =25 o C

213

nS

t r

昇る時間

83

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

621

nS

t f

秋の時間

350

nS

E on

オン スイッチング 損失

79.2

mJ

E オフ

切断する 損失

70.2

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =300A R ゲン =3.3Ω

R ゲッフ =4.7Ω V 遺伝子組み換え =±15V

T j = 125o C

240

nS

t r

昇る時間

92

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

726

nS

t f

秋の時間

649

nS

E on

オン スイッチング 損失

104

mJ

E オフ

切断する 損失

108

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =300A R ゲン =3.3Ω R ゲッフ =4.7Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150o C

248

nS

t r

昇る時間

95

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

736

nS

t f

秋の時間

720

nS

E on

オン スイッチング 損失

115

mJ

E オフ

切断する 損失

116

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について o C,V CC = 1000V, V 単数 ≤1700V

1200

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.90

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

1.95

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =300A

-di/dt=3300A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

82.5

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

407

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

46.6

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =300A

-di/dt=3300A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C

138

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

462

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

92.2

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =300A

-di/dt=3300A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

154

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

460

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

109

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R 25

定数抵抗

5.0

kΩ

δR/R

偏差 の R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

R 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

R 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

R 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

R CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

1.10

mΩ

R thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.082 0.129

総量

R thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード） ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.029 0.046 0.009

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

350

g