IGBTモジュール 1700V

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1700

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C = 100O C

493

300

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

600

A について

P D

最大電源 消耗 @ T =175 O C

1829

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1700

v

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

300

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

600

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.85

2.20

v

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

2.25

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

2.35

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C = 電気回路 CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 O C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

2.5

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V

36.1

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.88

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

2.83

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =900V,I C =300A r ゲン =3.3Ω

r ゲッフ =4.7Ω v 遺伝子組み換え =±15V

T j =25 O C

213

NS

T r

昇る時間

83

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

621

NS

T F

秋の時間

350

NS

e on

オン スイッチング 損失

79.2

mJ

e オフ

切断する 損失

70.2

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =900V,I C =300A r ゲン =3.3Ω

r ゲッフ =4.7Ω v 遺伝子組み換え =±15V

T j = 125O C

240

NS

T r

昇る時間

92

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

726

NS

T F

秋の時間

649

NS

e on

オン スイッチング 損失

104

mJ

e オフ

切断する 損失

108

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =900V,I C =300A r ゲン =3.3Ω r ゲッフ =4.7Ω

v 遺伝子組み換え =±15V T j = 150O C

248

NS

T r

昇る時間

95

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

736

NS

T F

秋の時間

720

NS

e on

オン スイッチング 損失

115

mJ

e オフ

切断する 損失

116

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V 定電流 = 1000V, v 単数 ≤1700V

1200

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

v

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125O C

1.90

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =300A

-di/dt=3300A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

82.5

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

407

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

46.6

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =300A

-di/dt=3300A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

138

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

462

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

92.2

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =300A

-di/dt=3300A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

154

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

460

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

109

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r 25

定数抵抗

5.0

kΩ

ΔR/R

偏差 の r 100

T C = 100 O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

r 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

r 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

r 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

r CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

1.10

mΩ

r thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.082 0.129

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード） ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.029 0.046 0.009

総量

m

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

350

g