IGBTモジュール 1700V

シンボル

説明

値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1700

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

493

300

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

600

A について

P D

最大電力損失 T =175 O C

1829

W について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.85

2.20

v

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

2.25

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

2.35

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C = 電気回路 CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

2.5

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

36.1

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.88

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

2.83

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =900V,I C =300A r g =2.4Ω,

v 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

204

NS

T r

昇る時間

48

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

595

NS

T F

秋の時間

100

NS

e on

オン スイッチング

損失

69.3

mJ

e オフ

切断する

損失

63.3

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =900V,I C =300A r g =2.4Ω

バイト 遺伝子組み換え =±15V T j = 125O C

224

NS

T r

昇る時間

55

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

611

NS

T F

秋の時間

159

NS

e on

オン スイッチング

損失

96.8

mJ

e オフ

切断する

損失

99.0

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =900V,I C =300A r g =2.4Ω

バイト 遺伝子組み換え =±15V T j = 150O C

240

NS

T r

昇る時間

55

NS

T D (オフ )

切断する 遅延時間

624

NS

T F

秋の時間

180

NS

e on

オン スイッチング

損失

107

mJ

e オフ

切断する

損失

105

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V 定電流 = 1000V, v 単数 ≤1700V

1200

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

v

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125O C

1.90

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =300A

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 O C

55

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

297

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

32.2

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =300A

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =125 について O C

116

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

357

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

68.2

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =300A

-di/dt=5400A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =150 について O C

396

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

120

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

81.6

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

r CC+EE

モジュールリードレジスタ ターミナルからチップへ

0.35

mΩ

r thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.082

0.129

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.033

0.051

0.010

総量

m

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

300

g