GD300HFX170C2SA,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1700

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

493

300

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

600

A について

P D

最大電源 消耗 @ T vj =175 O C

1829

W について

シンボル

説明

バリュー

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

v

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

300

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

600

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C

1.85

2.30

v

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について O C

2.25

わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について O C

2.35

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =12.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T vj =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T vj =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

2.5

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V

36.1

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.88

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

2.83

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =300A r g =2.4Ω、Ls=42nH、 v 遺伝子組み換え =±15V

T vj =25 O C

355

NS

T r

昇る時間

71

NS

T 消して

切断する 遅延時間

473

NS

T F

秋の時間

337

NS

e on

オン スイッチング 損失

89.3

mJ

e オフ

切断する 損失

46.3

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =300A r g =2.4Ω、Ls=42nH、 v 遺伝子組み換え =±15V

T vj =125 について O C

383

NS

T r

昇る時間

83

NS

T 消して

切断する 遅延時間

549

NS

T F

秋の時間

530

NS

e on

オン スイッチング 損失

126

mJ

e オフ

切断する 損失

68.5

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =300A r g =2.4Ω、Ls=42nH、 v 遺伝子組み換え =±15V

T vj =150 について O C

389

NS

T r

昇る時間

88

NS

T 消して

切断する 遅延時間

575

NS

T F

秋の時間

585

NS

e on

オン スイッチング 損失

139

mJ

e オフ

切断する 損失

73.4

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V

T vj =150 について O C,V CC =1000V,

v 単数 ≤1700V

1200

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5O C

1.80

2.25

v

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について O C

1.95

わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について O C

1.90

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =300A

-di／dt=3247A／μs、V 遺伝子組み換え =15V LS =42 nH ,T vj =25 O C

68

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

202

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

34.5

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =300A

-di／dt=2579A／μs、V 遺伝子組み換え =15V LS =42 nH ,T vj =125 について O C

114

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

211

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

61.2

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =300A

-di／dt=2395A／μs、V 遺伝子組み換え =15V LS =42 nH ,T vj =150 について O C

136

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

217

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

73.9

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

r CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.35

mΩ

r thJC

接合 -オー -事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)

0.082 0.127

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.033 0.051 0.010

総量

m

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

300

g