GD300HFX120C6SA、IGBTモジュール、STARPOWER

紹介

簡単な紹介

IGBT モジュール ,製造元ストアパワー . 1200V 300A. 本当

特徴

低V 衛星トレンチ IGB T 技術

10μs短回路能力

v CE (衛星 ) 持ってるポジティブ温度係数

最大接合温度 175O C

低感受性ケース

速くて柔らかい逆回復逆平行FWD

絶縁された銅ベースプレート DBC技術を使用したプレート

典型的な用途

モータードライブ用インバータ

ACとDCのサーボドライブ増幅器者

無停電電源装置

絶対値 最大 レーティング T F =25 O C しない限り違うなら記載

IGBT

シンボル	説明	価値	ユニット
v CES	集合器-放出器の電圧	1200	v
v 総エネルギー	ゲート・エミッター・ボルト	±20	v
わかった C	コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C =100 O C	496 300	A について
わかった cm	パルスコレクター電流 t P =1ms	600	A について
P D	最大電源消耗 @ T j =175 O C	1685	W について

ダイオード

シンボル	説明	価値	ユニット
v RRM	繰り返しのピークリバース・ボルト年齢	1200	v
わかった F	ダイオード連続前向きCu rrent	300	A について
わかった Fm	ダイオード最大順方向電流 t P =1ms	600	A について

モジュール

シンボル	説明	価値	ユニット
T jmax	交差点最大温度	175	O C
T ショウジョウ	交差点の動作温度	-40から+150	O C
T STG	保管温度範囲	-40から+125	O C
v ISO	絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分	2500	v

IGBT 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
v 衛星	収集機から発信機へ飽和電圧	わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C		1.70	2.15	v
		わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C		1.95
		わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C		2.00
v 遺伝子組み換え (TH )	ゲート発信者の限界値圧力は	わかった C =12.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C	5.6	6.2	6.8	v
わかった CES	収集家カット -オフ現在	v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 O C			1.0	mA
わかった総エネルギー	ゲート発射器の漏れ現在	v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C			400	NA
r ゲント	内部ゲート抵抗アンス			2.5		Ω
C ies	入力容量	v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V		31.1		ロープ
C res	逆転移転容量	v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V		0.87		ロープ
Q g	ゲートチャージ	v 遺伝子組み換え =-15 ...+15V		2.33		微分
T D (on )	オンする遅延時間	v CC =600V,I C =300A r g =1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C		313		NS
T r	昇る時間			57		NS
T 消して	切断する遅延時間			464		NS
T F	秋の時間			206		NS
e on	オンスイッチング損失			9.97		mJ
e オフ	切断する損失			28.6		mJ
T D (on )	オンする遅延時間	v CC =600V,I C =300A r g =1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について O C		336		NS
T r	昇る時間			66		NS
T 消して	切断する遅延時間			528		NS
T F	秋の時間			299		NS
e on	オンスイッチング損失			21.1		mJ
e オフ	切断する損失			36.6		mJ
T D (on )	オンする遅延時間	v CC =600V,I C =300A r g =1.5Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =150 について O C		345		NS
T r	昇る時間			68		NS
T 消して	切断する遅延時間			539		NS
T F	秋の時間			309		NS
e on	オンスイッチング損失			25.6		mJ
e オフ	切断する損失			37.8		mJ
わかった SC	SC データ	T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C,V CC =900V v 単数 ≤1200V		1200		A について

ダイオード 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
v F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	v
		わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25O C		1.90
		わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50O C		1.95
Q r	回収された電荷	v CC =600V,I F =300A -di/dt=6950A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C		10.8		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			272		A について
e レス	逆転回復エネルギー			9.53		mJ
Q r	回収された電荷	v CC =600V,I F =300A -di/dt=6090A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C		24.2		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			276		A について
e レス	逆転回復エネルギー			18.4		mJ
Q r	回収された電荷	v CC =600V,I F =300A -di/dt=5440A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C		33.6		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			278		A について
e レス	逆転回復エネルギー			20.6		mJ

NTC 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
r 25	定数抵抗			5.0		kΩ
∆R/R	偏差の r 100	T C =100 O C ロープ 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	電力散熱				20.0	mW
B について 25/50	B値	r 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から		3375		K
B について 25/80	B値	r 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から		3411		K
B について 25/100	B値	r 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から		3433		K

モジュール 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	分。	タイプする	マックス。	ユニット
L CE	流れる誘導力		20		nH
r CC+EE	モジュール鉛抵抗ターミナルからチップへ		1.10		mΩ
r thJC	接合 -オー -事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)			0.089 0.150	総量
r thCH	事例 -オー -熱シンク (perIGBT ) ケースからヒートシンクへの接続 (ダイオードごと) ケースからヒートシンクへの（per モジュール)		0.029 0.048 0.009		総量
m	端末接続トーク六角ボルトM6 固定トークスクロール M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M<br>
g	重量のモジュール		350		g