GD2400SGX170C4S,IGBTモジュール,大電流IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1700

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =100 O C

2400

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

4800

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 O C

13.7

KW

シンボル

説明

価値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

v

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

2400

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

4800

A について

わかった FSM

サージ順方向電流 V r =0V,T P =10ms, @T j =25 O C @T j =150 について O C

18.65 15.25

kA

わかった 2T

わかった 2t値,V r =0V,T P =10m s,T j =25 O C わかった 2t値,V r =0V,T P =10ms ,t j =150 について O C

1739

1162

kA 2s

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =2400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.85

2.30

v

わかった C =2400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

2.25

わかった C =2400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

2.35

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =96.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 O C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 タンス

0.6

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, v 遺伝子組み換え =0V

285

ロープ

C res

逆転移転 容量

7.13

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-15...+15V

23.5

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =2400A, r g =0.82Ω L s =32 nH ,v 遺伝子組み換え =-9V/+15V,

T j =25 O C

609

NS

T r

昇る時間

232

NS

T 消して

切断する 遅延時間

1676

NS

T F

秋の時間

192

NS

e on

オン スイッチング 損失

784

mJ

e オフ

切断する 損失

785

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =2400A, r g =0.82Ω L s =32 nH ,v 遺伝子組み換え =-9V/+15V,

T j =125 について O C

732

NS

T r

昇る時間

280

NS

T 消して

切断する 遅延時間

2171

NS

T F

秋の時間

243

NS

e on

オン スイッチング 損失

1350

mJ

e オフ

切断する 損失

1083

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =900V,I C =2400A, r g =0.82Ω L s =32 nH ,v 遺伝子組み換え =-9V/+15V,

T j =150 について O C

772

NS

T r

昇る時間

298

NS

T 消して

切断する 遅延時間

2294

NS

T F

秋の時間

298

NS

e on

オン スイッチング 損失

1533

mJ

e オフ

切断する 損失

1126

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V CC =1000V, v 単数 ≤1700V

10.5

kA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =2400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 25O C

1.80

2.25

v

わかった F =2400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125 について O C

1.90

わかった F =2400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150 について O C

1.95

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =2400A,

-di/dt=9570A/μs,V 遺伝子組み換え =-9V、 L s =32 nH ,T j =25 O C

243

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

1656

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

274

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =2400A,

-di/dt=7500A/μs,V 遺伝子組み換え =-9V、 L s =32 nH ,T j =125 について O C

425

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

1692

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

438

mJ

Q r

回収された電荷

v r =900V,I F =2400A,

-di/dt=6990A/μs,V 遺伝子組み換え =-9V、 L s =32 nH ,T j =150 について O C

534

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

1809

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

563

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

6.0

nH

r CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.10

mΩ

r thJC

接合 -オー -事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

10.9 20.9

電力量

r thCH

事例 -オー -熱シンク (perIGBT )ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

6.1 11.7 4.0

電力量

D クリーپ

端子からヒートシンクへ 端子間

32.2 32.2

mm

D 明確

端子からヒートシンクへ 端子間

19.1 19.1

mm

m

端末接続トーク スクロールM4 端末接続トーク スクロール M8 固定トーク 六角ボルトM6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M<br>

g

重量 の モジュール

1500

g