GD2400SGX170C4S、IGBTモジュール、大電流igbtモジュール、STARPOWER

紹介

簡単な紹介

IGBT モジュール ,STARPOWERによって製造されました。1 700V 2400A について ,C4 .

特徴

低VCE(sat)トレンチIGBT技術
10μs短回路能力
陽性温度係数を持つ VCE (sat)
最大接合温度 175 °C
低感受性ケース
速くて柔らかい逆回復対称性のないFWD
DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的な用途

高功率変換機
モータードライブ

絶対値 最大 レーティング T C =25 O C しない限り違うなら記載

IGBT

シンボル	説明	価値	ユニット
v CES	集合器-放出器の電圧	1700	v
v 総エネルギー	ゲート・エミッター・ボルト	±20	v
わかった C	コレクタ電流 @ T C =100 O C	2400	A について
わかった cm	パルスコレクター電流 t P =1ms	4800	A について
P D	最大電源消耗 @ T j =175 O C	15.8	KW

ダイオード

シンボル	説明	価値	ユニット
v RRM	繰り返しのピークリバース・ボルト年齢	1700	v
わかった F	ダイオード連続前向きCu rrent	2400	A について
わかった Fm	ダイオード最大順方向電流 t P =1ms	4800	A について
わかった FSM	サージ順方向電流 V r =0V,T P =10ms, @T j =25 O C @T j =150 について O C	18.65 15.25	kA
わかった 2T	わかった 2t値,V r =0V,T P =10m s,T j =25 O C わかった 2t値,V r =0V,T P =10ms ,t j =150 について O C	1739 1162	kA 2s

モジュール

シンボル	説明	価値	ユニット
T jmax	交差点最大温度	175	O C
T ショウジョウ	交差点の動作温度	-40から+150	O C
T STG	保管温度範囲	-40から+125	O C
v ISO	絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分	4000	v

IGBT 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
v 衛星	収集機から発信機へ飽和電圧	わかった C =2400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C		1.85	2.30	v
		わかった C =2400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C		2.25
		わかった C =2400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C		2.35
v 遺伝子組み換え (TH )	ゲート発信者の限界値圧力は	わかった C =96.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C	5.6	6.2	6.8	v
わかった CES	収集家カット -オフ現在	v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 O C			5.0	mA
わかった総エネルギー	ゲート発射器の漏れ現在	v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C			400	NA
r ゲント	内部ゲート抵抗			0.6		Ω
C ies	入力容量	v CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, v 遺伝子組み換え =0V		285		ロープ
C res	逆転移転容量	v CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, v 遺伝子組み換え =0V		7.13		ロープ
Q g	ゲートチャージ	v 遺伝子組み換え =-15...+15V		23.5		微分
T D (on )	オンする遅延時間	v CC =900V,I C =2400A, r g =0.82Ω L s =32 nH ,v 遺伝子組み換え =-9V/+15V, T j =25 O C		609		NS
T r	昇る時間			232		NS
T 消して	切断する遅延時間			1676		NS
T F	秋の時間			192		NS
e on	オンスイッチング損失			784		mJ
e オフ	切断する損失			785		mJ
T D (on )	オンする遅延時間	v CC =900V,I C =2400A, r g =0.82Ω L s =32 nH ,v 遺伝子組み換え =-9V/+15V, T j =125 について O C		732		NS
T r	昇る時間			280		NS
T 消して	切断する遅延時間			2171		NS
T F	秋の時間			243		NS
e on	オンスイッチング損失			1350		mJ
e オフ	切断する損失			1083		mJ
T D (on )	オンする遅延時間	v CC =900V,I C =2400A, r g =0.82Ω L s =32 nH ,v 遺伝子組み換え =-9V/+15V, T j =150 について O C		772		NS
T r	昇る時間			298		NS
T 消して	切断する遅延時間			2294		NS
T F	秋の時間			298		NS
e on	オンスイッチング損失			1533		mJ
e オフ	切断する損失			1126		mJ
わかった SC	SC データ	T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C,V CC =1000V, v 単数 ≤1700V		10.5		kA

ダイオード 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
v F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =2400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 25O C		1.80	2.25	v
		わかった F =2400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125 について O C		1.90
		わかった F =2400A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =150 について O C		1.95
Q r	回収された電荷	v r =900V,I F =2400A, -di/dt=9570A/μs,V 遺伝子組み換え =-9V、 L s =32 nH ,T j =25 O C		243		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			1656		A について
e レス	逆転回復エネルギー			274		mJ
Q r	回収された電荷	v r =900V,I F =2400A, -di/dt=7500A/μs,V 遺伝子組み換え =-9V、 L s =32 nH ,T j =125 について O C		425		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			1692		A について
e レス	逆転回復エネルギー			438		mJ
Q r	回収された電荷	v r =900V,I F =2400A, -di/dt=6990A/μs,V 遺伝子組み換え =-9V、 L s =32 nH ,T j =150 について O C		534		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			1809		A について
e レス	逆転回復エネルギー			563		mJ

モジュール 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	分。	タイプする	マックス。	ユニット
L CE	流れる誘導力		6.0		nH
r CC+EE	モジュール鉛抵抗ターミナルからチップへ		0.10		mΩ
r thJC	接合 -オー -事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)			9.5 15.8	電力量
r thCH	事例 -オー -熱シンク (perIGBT )ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)		6.4 10.7 4.0		電力量
D クリーپ	端子からヒートシンクへ端子間		32.2 32.2		mm
D 明確	端子からヒートシンクへ端子間		19.1 19.1		mm
m	端末接続トークスクロールM4 端末接続トークスクロール M8 固定トーク六角ボルトM6	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	N.M<br>
g	重量のモジュール		2060		g