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簡潔な紹介
IGBT モジュール 、STARPOWERによって製造。 1200V 200A. 本当
特徴
典型的な用途
絶対値 最大 レーティング T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | 説明 | GD200SGU120C2S | ユニット |
v CES | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v |
v 総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v |
わかった C | コレクタ電流 @ T C =25 °C @ T C =80 について °C | 320 200 | A について |
わかった cm | パルスコレクター電流 t P =1 Ms | 400 | A について |
わかった F | ダイオード 連続前流 @ T C =80 について °C | 200 | A について |
わかった Fm | ダイオード最大順方向電流 t P =1ms | 400 | A について |
P D | 最大電源 消耗 @ T j =1 50°C | 1645 | W について |
T jmax | 交差点最大温度 | 150 | °C |
T STG | 保管温度 航続距離 | -40から+125 | °C |
v ISO | 絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し | 4000 | v |
マウント 扭力 | 信号ターミナル スクリュー:M4 | 1.1 から 2.0 |
|
電力端末スクリュー:M6 | 2.5から 5.0 | N.M<br> | |
固定螺栓:M6 | 平均的な 5.0 |
|
電気 特徴 の IGBT T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
特徴から外れている
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v (BR )CES | 収集-発信 突入電圧 | T j =25 °C | 1200 |
|
| v |
わかった CES | 収集家 カット -オフ 現在 | v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C |
|
| 5.0 | mA |
わかった 総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 現在 | v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 °C |
|
| 400 | NA |
特徴について
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
v 遺伝子組み換え (TH ) | ゲート発信者の限界値 圧力は | わかった C =2.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 °C | 4.4 | 4.9 | 6.0 | v |
v 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 | わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C |
| 3.10 | 3.55 |
v |
わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C |
| 3.45 |
|
変形する特性
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =200A, r g 電気の電圧が 遺伝子組み換え =±15V T j =25 °C |
| 577 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 120 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 540 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 123 |
| NS | |
e on | オン スイッチング 損失 |
| 16.3 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 12.0 |
| mJ | |
T D (on ) | オンする遅延時間 |
v 定電流 =600V,I C =200A, r g 電気の電圧が 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について °C |
| 609 |
| NS |
T r | 昇る時間 |
| 121 |
| NS | |
T D (オフ ) | 切断する 遅延時間 |
| 574 |
| NS | |
T F | 秋の時間 |
| 132 |
| NS | |
e on | オン スイッチング 損失 |
| 22.0 |
| mJ | |
e オフ | 切断する 損失 |
| 16.2 |
| mJ | |
C ies | 入力容量 |
v CE =30V,f=1MHz, v 遺伝子組み換え =0V |
| 16.9 |
| ロープ |
C オーエス | 輸出容量 |
| 1.51 |
| ロープ | |
C res | 逆転移転 容量 |
| 0.61 |
| ロープ | |
わかった SC |
SC データ | T P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15 V, T j =125 について °C v 定電流 =900V v 単数 ≤1200V |
|
1800 |
|
A について |
L CE | 流れる誘導力 |
|
|
| 20 | nH |
r CC+EE | 模板リード 抵抗力 ターミナルからチップへ |
|
|
0.18 |
|
mΩ |
電気 特徴 の ダイオード T C =25 °C しない限り 違うなら 記載
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | タイプする | マックス。 | ユニット | |
v F | ダイオード 前向き 圧力は | わかった F =200A | T j =25 °C |
| 1.82 | 2.25 | v |
T j =125 について °C |
| 1.92 |
| ||||
Q r | 回復した 充電 | わかった F =200A, v r =600V r g =4.7Ω v 遺伝子組み換え =15V | T j =25 °C |
| 13.1 |
| 微分 |
T j =125 について °C |
| 26.1 |
| ||||
わかった ロープ | ピーク逆 回復電流 | T j =25 °C |
| 123 |
| A について | |
T j =125 について °C |
| 172 |
| ||||
e レス | 逆転回復 エネルギー | T j =25 °C |
| 7.0 |
| mJ | |
T j =125 について °C |
| 12.9 |
| ||||
熱特性 ics
シンボル | パラメータ | タイプする | マックス。 | ユニット |
r θ JC さん | ケース対ケース (IGBごとに) T) について |
| 0.076 | 総量 |
r θ JC さん | 交差点 (Dあたり) ヨード) |
| 0.128 | 総量 |
r θ CS | ケースからシンク (電導性油脂の適用) 嘘) | 0.035 |
| 総量 |
重量 | 重量 モジュール | 300 |
| g |
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