GD200HFX120C8SN,IGBT モジュール,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C =100 O C

363

200

A について

わかった CRM

繰り返す 頂点 収集家 現在 tp 限定された by T バイト

400

A について

P D

最大電源 消耗 @ T vj =175 O C

1293

W について

シンボル

説明

バリュー

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

200

A について

わかった FRM

繰り返す 頂点 フォワード 現在 tp 限定された by T バイト

400

A について

シンボル

説明

バリュー

ユニット

T vjmax

交差点最大温度

175

O C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

2500

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C

1.75

2.20

v

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について O C

2.00

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について O C

2.05

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =8.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T vj =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T vj =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.0

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V

18.6

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.52

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

1.40

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =200A, r g =2.0Ω、Ls=50nH、 v 遺伝子組み換え =±15V, T vj =25 O C

140

NS

T r

昇る時間

31

NS

T 消して

切断する 遅延時間

239

NS

T F

秋の時間

188

NS

e on

オン スイッチング 損失

11.2

mJ

e オフ

切断する 損失

13.4

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =200A, r g =2.0Ω、Ls=50nH、 v 遺伝子組み換え =±15V, T vj =125 について O C

146

NS

T r

昇る時間

36

NS

T 消して

切断する 遅延時間

284

NS

T F

秋の時間

284

NS

e on

オン スイッチング 損失

19.4

mJ

e オフ

切断する 損失

18.9

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v CC =600V,I C =200A, r g =2.0Ω、Ls=50nH、 v 遺伝子組み換え =±15V, T vj =150 について O C

148

NS

T r

昇る時間

37

NS

T 消して

切断する 遅延時間

294

NS

T F

秋の時間

303

NS

e on

オン スイッチング 損失

21.7

mJ

e オフ

切断する 損失

19.8

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V

T vj =150 について O C,V CC =800V v 単数 ≤1200V

800

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

v

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について O C

1.90

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について O C

1.95

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=5710A/μs、Ls=50nH、 v 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C

20.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

220

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

7.5

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=4740A/μs、Ls=50nH、 v 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について O C

34.3

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

209

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

12.9

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=4400A/μs、Ls=50nH、 v 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について O C

38.7

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

204

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

14.6

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

r thJC

接合 -オー -事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.116 0.185

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.150 0.239 0.046

総量

m

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク スクロール M5

2.5 2.5

3.5 3.5

N.M<br>

g

重量 の モジュール

200

g