IGBTモジュール 1200V

シンボル

説明

値

ユニット

v CES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 O C

@ T C =100 O C

340

200

A について

わかった cm

パルスコレクター電流 t P =1ms

400

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 O C

1190

W について

シンボル

説明

値

ユニット

v RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

v

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

200

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t P =1ms

400

A について

シンボル

説明

値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

O C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

O C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

O C

v ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25 O C

1.70

2.15

v

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について O C

1.95

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について O C

2.00

v 遺伝子組み換え (TH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =8.0 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

v

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V

T j =25 O C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T j =25 O C

400

NA

r ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

3.75

Ω

C ies

入力容量

v CE 電気回路が1Mhzで

v 遺伝子組み換え =0V

20.7

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.58

ロープ

Q g

ゲートチャージ

v 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

1.55

微分

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =200A, r g =1。 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 O C

150

NS

T r

昇る時間

32

NS

T 消して

切断する 遅延時間

330

NS

T F

秋の時間

93

NS

e on

オン スイッチング

損失

9.7

mJ

e オフ

切断する

損失

11.3

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =200A, r g =1。 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について O C

161

NS

T r

昇る時間

37

NS

T 消して

切断する 遅延時間

412

NS

T F

秋の時間

165

NS

e on

オン スイッチング

損失

20.2

mJ

e オフ

切断する

損失

17.0

mJ

T D (on )

オンする遅延時間

v 定電流 =600V,I C =200A, r g =1。 1Ω、V 遺伝子組み換え =±15V T j =150 について O C

161

NS

T r

昇る時間

43

NS

T 消して

切断する 遅延時間

433

NS

T F

秋の時間

185

NS

e on

オン スイッチング

損失

22.4

mJ

e オフ

切断する

損失

19.1

mJ

わかった SC

SC データ

T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について O C,V 定電流 =800V v 単数 ≤1200V

800

A について

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 O C

2.40

2.90

v

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25O C

1.95

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 50O C

1.80

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 O C

20.3

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

160

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

8.0

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =125 について O C

38.4

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

201

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

14.2

mJ

Q r

回収された電荷

v r =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =150 について O C

44.2

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

212

A について

e レス

逆転回復 エネルギー

15.6

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

r CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.35

mΩ

r thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.126

0.211

総量

r thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンク (pe) ダイオード)

ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.032

0.053

0.010

総量

m

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

g

重量 の モジュール

300

g