GD200HFQ120C2SD、IGBTモジュール、STARPOWER

紹介

簡単な紹介

IGBT モジュール ,製造元ストアパワー . 1200V 200A. 本当

特徴

低VCE(sat)トレンチIGBT技術
10μs短回路能力
陽性温度係数を持つ VCE (sat)
最大接合温度 175 °C
低感受性ケース
速くて柔らかい逆回復対称性のないFWD
DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的な用途

切り替えモード電源
感電式加熱
電子溶接機

絶対値 最大 レーティング T F =25 O C しない限り違うなら記載

IGBT

シンボル	説明	バリュー	ユニット
v CES	集合器-放出器の電圧	1200	v
v 総エネルギー	ゲート・エミッター・ボルト	±20	v
わかった C	コレクタ電流 @ T C =25 O C @ T C =100 O C	324 200	A について
わかった cm	パルスコレクター電流 t P =1ms	400	A について
P D	最大電源消耗 @ T vj =175 O C	1181	W について

ダイオード

シンボル	説明	バリュー	ユニット
v RRM	繰り返しのピークリバース・ボルト年齢	1200	v
わかった F	ダイオード連続前向きCu rrent	200	A について
わかった Fm	ダイオード最大順方向電流 t P =1ms	400	A について

モジュール

シンボル	説明	価値	ユニット
T vjmax	交差点最大温度	175	O C
T バイト	交差点の動作温度	-40から+150	O C
T STG	保管温度範囲	-40から+125	O C
v ISO	絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分	2500	v

IGBT 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
v 衛星	収集機から発信機へ飽和電圧	わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 O C		1.85	2.30	v
		わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について O C		2.25
		わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について O C		2.35
v 遺伝子組み換え (TH )	ゲート発信者の限界値圧力は	わかった C =8.00 mA ,v CE = v 遺伝子組み換え , T vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	v
わかった CES	収集家カット -オフ現在	v CE = v CES ,v 遺伝子組み換え =0V T vj =25 O C			1.0	mA
わかった総エネルギー	ゲート発射器の漏れ現在	v 遺伝子組み換え = v 総エネルギー ,v CE =0V T vj =25 O C			400	NA
r ゲント	内部ゲート抵抗アンス			3.8		Ω
C ies	入力容量	v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V		21.6		ロープ
C res	逆転移転容量	v CE 電気回路が1Mhzで v 遺伝子組み換え =0V		0.59		ロープ
Q g	ゲートチャージ	v 遺伝子組み換え =-15...+15V		1.68		微分
T D (on )	オンする遅延時間	v CC =600V,I C =200A, r g =4.7Ω L s =45 nH , v 遺伝子組み換え =±15V,T vj =25 O C		100		NS
T r	昇る時間			72		NS
T 消して	切断する遅延時間			303		NS
T F	秋の時間			71		NS
e on	オンスイッチング損失			26.0		mJ
e オフ	切断する損失			6.11		mJ
T D (on )	オンする遅延時間	v CC =600V,I C =200A, r g =4.7Ω L s =45 nH , v 遺伝子組み換え =±15V,T vj =125 について O C		99		NS
T r	昇る時間			76		NS
T 消して	切断する遅延時間			325		NS
T F	秋の時間			130		NS
e on	オンスイッチング損失			33.5		mJ
e オフ	切断する損失			8.58		mJ
T D (on )	オンする遅延時間	v CC =600V,I C =200A, r g =4.7Ω L s =45 nH , v 遺伝子組み換え =±15V,T vj =150 について O C		98		NS
T r	昇る時間			80		NS
T 消して	切断する遅延時間			345		NS
T F	秋の時間			121		NS
e on	オンスイッチング損失			36.2		mJ
e オフ	切断する損失			9.05		mJ
わかった SC	SC データ	T P ≤10μs v 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について O C,V CC =800V v 単数 ≤1200V		750		A について

ダイオード 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
v F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5O C		1.85	2.30	v
		わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について O C		1.90
		わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について O C		1.95
Q r	回復した充電	v r =600V,I F =200A, -di/dt=1890A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L s =45 nH ,T vj =25 O C		19.4		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			96		A について
e レス	逆転回復エネルギー			5.66		mJ
Q r	回復した充電	v r =600V,I F =200A, -di/dt=1680A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L s =45 nH ,T vj =125 について O C		29.5		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			106		A について
e レス	逆転回復エネルギー			8.56		mJ
Q r	回復した充電	v r =600V,I F =200A, -di/dt=1600A/μs,V 遺伝子組み換え =15V L s =45 nH ,T vj =150 について O C		32.2		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			107		A について
e レス	逆転回復エネルギー			9.24		mJ

モジュール 特徴 T C =25 O C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	分。	タイプする	マックス。	ユニット
L CE	流れる誘導力			20	nH
r CC+EE	モジュールリード抵抗,端末からチップ		0.35		mΩ
r thJC	接合 -オー -事例 (perIGBT ) 交差点 (Dあたり) ヨード)			0.127 0.163	総量
r thCH	ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)		0.036 0.046 0.010		総量
m	端末接続トーク六角ボルトM6 固定トーク六角ボルトM6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M<br>
g	重量のモジュール		300		g