GD200HFF120C8S,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C

@ T C =85 について o C

294

200

A について

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

400

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 o C

1056

W について

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

200

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

400

A について

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

2500

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.90

2.35

V

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j = 125o C

2.40

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

2.55

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =5.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25 o C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

100

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

3.75

ω

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 o C

374

nS

t r

昇る時間

50

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

326

nS

t f

秋の時間

204

nS

E on

オン スイッチング

損失

13.8

mJ

E オフ

切断する

損失

10.4

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

419

nS

t r

昇る時間

63

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

383

nS

t f

秋の時間

218

nS

E on

オン スイッチング

損失

20.8

mJ

E オフ

切断する

損失

11.9

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150o C

419

nS

t r

昇る時間

65

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

388

nS

t f

秋の時間

222

nS

E on

オン スイッチング

損失

22.9

mJ

E オフ

切断する

損失

11.9

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.90

2.35

V

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.90

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

1.90

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 o C

10.2

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

90

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

3.40

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 125o C

26.2

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

132

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

9.75

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 150o C

30.4

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

142

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

11.3

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

26

nH

R CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.62

mΩ

R thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

交差点 (Dあたり) ヨード)

0.142

0.202

総量

R thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.157

0.223

0.046

総量

M

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

200

g